2002 Fiscal Year Annual Research Report
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13355018
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
武笠 幸一 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00001280)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
有田 正志 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (20222755)
武藤 俊一 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00114900)
末岡 和久 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (60250479)
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| Keywords | 走査型プローブ顕微鏡 / 走査型磁気抵抗効果顕微鏡 / 磁気抵抗効果 / スピンバルブ |
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| Research Abstract |
1.昨年度試作を行った4端子タイプの磁気抵抗効果センサプローブ作製時の歩留まりを向上するために、更なる作製プロセスの改良を行った。新しい作製プロセスでは80%以上の歩留まりを達成できた。昨年度の作製プロセスにおいて電極薄膜の応力でプローブ全体が若干曲がっていた問題については、電極薄膜の薄膜材料と膜厚の最適化を行うことによってこれを解決した。
2.微少電極パターンに流した電流が生じる静磁場の測定から4端子タイプのプローブの基本特性を評価した。また、磁気抵抗効果素子のアスペクト比を変えたものの特性評価を行った。さらに、ガーネット薄膜の迷路磁区を観察することで、センサプローブの面内分解能の評価を行った。これにより、薄膜のサイズと同程度の分解能が得られることを確認した。
3.マルチターゲットスパッタの成膜条件出しを行った。この装置を用いて磁気抵抗効果素子薄膜を作製し、作製したセンサプローブの特性評価を行った。また、これまでに用いていたAMR素子に替え、スピンバルブ素子を磁気抵抗効果素子とするために、この成膜装置を用いて、交換バイアスを実現するための反強磁性体薄膜および強磁性体薄膜の成膜条件出しを行った。作製した素子表面のカー効果測定により交換バイアスが実現できていることを確認した。最終年度では交換バイアス膜付きに磁気抵抗効果素子を搭載したプローブを作製するとともに、その時間応答特性の詳細について評価する。
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