2001 Fiscal Year Annual Research Report
シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築
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13450122
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
鳥海 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50323530)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
弓野 健太郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (40251467)
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| Keywords | シリコン |
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| Research Abstract |
基盤研究(B)(2)のスタートにあたって、当該分野の最先端の現状を精査するためにVLSIシンポジウム(京都で開催)に参加した。ここでは、技術的な側面が多く議論されたが、基礎的側面の取り組みの重要性が再認識された。そこには、異種材料の界面の電子状態をどう取り扱うかなども含まれている。
その後すぐに、本研究分野をより広く包含した基盤研究(S)の採択が通知されたため、基盤研究(B)(2)に関しては打ち切った。
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