2001 Fiscal Year Annual Research Report
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13640520
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| Research Institution | The Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
小林 徹 理化学研究所, 分子物性化学研究室, 先任研究員 (70202067)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松尾 由賀利 理化学研究所, RIビーム科学研究室, 先任研究員 (50231593)
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| Keywords | 狭帯域光源 / パルス光増幅 / リュードベリ電子状態 / 解離性電子状態 / レーザーアブレーション / 4光波混合法 |
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| Research Abstract |
反応性電子状態の分光法によるキャラクタリゼーションに向けて、狭帯域パルス光源を開発している。当初レーザーダイオードを種光とした増幅光学系を計画していたが、採択予算の申請時からの減額により困難となったため、既存の連続発振チタンサファイアレーザーを用いた増幅光学系により、以下の予備実験を行なった。
(1)シリコン基板のパルスYAGレーザーによる酸素雰囲気ガス中レーザーアブレーションによる飛散イオンと酸素ガスとの反応によって生じるSiO^+イオンについて、レーザー誘起蛍光法による回転スペクトルと吸収線幅のドップラー幅の測定を行なった。その結果、アブレーション後20マイクロ秒以内に回転温度が室温に収束する一方、生成するSiO^+イオン並進温度は100マイクロ秒のスケールで室温に緩和している事が判明した。
(2)アルミニウム基板のパルスYAGレーザーによる大気中レーザーアブレーションにより生成するAl^+イオンの空間分布を、縮退4光波混合法により測定した。その結果、基板から垂直方向に分布の凹みが存在する事が明らかになった。これは垂直方向には多価イオン等の高エネルギーイオンが主に分布する為、1価イオンの分布が少ないためであると考えられる。多価イオンの空間分布の測定が望まれるが、現在使用中の狭帯域光源の波長では測定が困難である。
今後狭帯域光源の波長領域拡大に努め、他の多価イオンの空間分布について測定すると共に、当初の目標である反応性電子状態として代表的な一酸化窒素(NO)分子の高励起リュードベリ状態の吸収線幅も、測定の対象としたい。
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