2001 Fiscal Year Annual Research Report
200-355nmの深紫外波長域BAlGaN/AlN高効率発光デバイス
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13650383
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
川西 英雄 工学院大学, 工学部, 教授 (70016658)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
本田 徹 工学院大学, 工学部, 助教授 (20251671)
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| Keywords | BAlGaN四元混晶 / 紫外域 / 発光デバイス / 残留歪制御 / 多重バッフア |
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| Research Abstract |
平成13年度の研究成果の主たるものは、残留歪みを、本研究が提案した「(GaN/AlN)多重マルチバッファ層構造」により制御出来たことを基礎に、その上に,「BAlGaN/AlN多重量子井戸構造」を成長することで、高品質なBAlGaNによって、世界に先駆けて、室温におけるPL発光が観測された事である。そのときの発光波長は、250nmで、深紫外域に対応する波長であった。すなわち、現時点では、残留歪みが発光に大きく影響を及ぼしていること、更にそれを除去あるいは低減することで、これまで光発光素子への応用が不可能と考えられてきた新材料において、発光が観測できるようになったことである。これは、本研究がこれまで主張してきた事の正当性を強く示唆している。
更にもう一つの本研究における大きな研究成果は、13%のボロンを含むBGaNを実現できたことである。AlNとボロン組成12%のBGaNで格子整合する事が出来ること及び、BAlNがボロン組成0%からAlNに格子整合する事を考慮すると、BAlGaN四元混晶半導体の全組成領域でAlNに格子整合が可能となったことである。このことは、これまでになかった完全格子整合系半導体により、ダブルヘテロ構造が構成できる事になり、本研究が格段に進展したことになる。
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[Publications] 高野, 川西, 栗本, 石原, 堀江: "Improved Optical Quality of BAlGaN/AlN MQW Structure Grown on GH-SiC Substrate by Controlling Residnal"Mat.Res.Soc.Symp.Proc.. 639. G12.9.1-G12.9.6 (2001)
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[Publications] 本田, 川西: "Emission Characteristics of GaN-Based EL Device with AC Operation"Mat.Res.Soc.Symp.Proc.. 639. G11.13.1-G11.13.6 (2001)
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[Publications] 本田, 佐藤, 橋本, 川西: "Gan Grouoth by Compound Scurce MBE Using GaN Powder"Phys.Stat.Sol.(a). 188.2. 587-590 (2001)
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[Publications] 高野, 栗本, 山本, 川西: "Epitaxial growth quality BAlGaN quaternary lattice matched to AlN on 6H-Sic Substrate"(印刷中).
