2001 Fiscal Year Annual Research Report
同一平面内におかれた開殻f電子系と励起開殻π電子系の相互作用の研究
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13740375
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
石川 直人 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (20251605)
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| Keywords | 希土類 / フタロシアニン / f電子 / π電子 / 相互作用 / f-f相互作用 / f-π相互作用 / 複核錯体 |
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| Research Abstract |
不対f電子系とπ電子系を同分子内に持つ系におけるf-π相互作用を研究する上で、f電子系のみの系における電子構造を決定する必要がある。過去の研究において、希土類錯体の基底電子多重項の配位子によるゼロ磁場分裂を正確に決定できた系はわずかしかない。これらの成功例はすべて固体中の発光スペクトルが観測でき、かつそれらの線幅が非常に狭く、発光の始状態と終状態が特定できる場合に限られていた。本研究で扱う分子系はそのような条件に当てはまらないため、新たにf電子系基底多重項分裂を解析する手法を新たに開発する必要があった。本年度は、C_4点群に属する配位子場項を持つサンドイッチ型のフタロシアニン-希土類錯体の磁化率の温度変化とプロトンNMRの常磁性シフトの測定値から、配位子場項を解析する手法を開発した。この新手法を用いてフタロシアニン三層希土類二核錯体(Y-Tb, Y-Dy, Y-Ho, Y-Er, Y-Tm, Y-Yb)の電子構造を決定することに成功した。これにより、不対f電子系によって作られる分子内磁場を位置の関数として決定することができるようになった。これはf-π相互作用の詳しい研究に進むにあたって、鍵となる重要な手法である。これらについては平成13年錯体化学討論会、平成14年日本化学会春季年会において発表した。分子内におけるf一π相互作用を研究するために単一のクラウンエーテルで修飾したフタロシアニンの合成を行った。現在これらの化合物の発光特性と共存希土類イオンの相関について検討を行っている。
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Research Products
(1 results)
