| Research Abstract |
歯科臨床において,口腔粘膜の創傷部に低出力レーザーを照射することで,治癒が促進されると報告されているが,その作用機序は不明であり,また,その機序を解明するためのin vitroでの実験においても,未だ統一見解がない。そこで本研究では培養歯肉上皮細胞を用い,まず,レーザーの種類による細胞増殖の違いを検討し,最も細胞が増殖する至適照射条件を求め,次いで,細胞内シグナル伝達で重要な役割を担う各種protein kinaseについて検討を行った。
培養歯肉上皮細胞に,He-Neレーザー(タカラベルモント社,ベルビーム)と,半導体レーザー(ヨシダ社,トリンプルD)を各種条件で照射後,細胞の増殖能を比較検討した。半導体レーザーでは20秒照射で最も細胞増殖が促進され,He-Neレーザーにおいても,同様の傾向が得られた。しかし,He-Neレーザーにおいては,60秒間以上照射すると細胞増殖が抑制される。そこで,細胞への偽害作用が少なく,且つ,生物活性を高める半導体レーザーを使用し,以下の研究を行った。
至適照射条件下でレーザーを細胞に照射後,MAP kinaseとPKC(protein kinase C)について,[γ-^<32>P]ATPを用い測定した。その結果,MAP kinaseはレーザー照射10分後,一過性の活性上昇が生じた。一方,PKC活性は,レーザー照射30分後まで上昇し,その後高い活性状態が続いた。また,conventional PKCを共焦点レーザ顕微鏡にて観察すると,照射後,細胞膜上へPKCがtranslocationする像が確認された。同様にモノクロナル抗体を用いtyrosine kinase活性を見ると,照射15分後には,歯肉上皮細胞の細胞膜上に強い反応が確認された。
今後は,他のprotein kinaseおよび,細胞小器官への影響について検討する予定である。
|
