2001 Fiscal Year Annual Research Report
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13875115
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
山崎 陽太郎 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (50124706)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山内 尚雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50271581)
谷山 智康 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (10302960)
北本 仁孝 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (10272676)
吉本 護 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教授 (20174998)
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| Keywords | 磁性酸化物 / 微細加工 / スピン注入 / 反応性エッチング / マグネタイト |
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| Research Abstract |
本年度は酸化物薄膜の微細加工に主眼を置き,アルゴンイオンミリング法及び反応性イオンエッチング法の2つのドライプロセスによりハーフメタリックな特性を有するとされるマグネタイト(Fe_30_4)薄膜の細線及びドットを作製した.いずれも高周波電力を投入することにより加工を行なった.注入電流密度を上げるためにはサブマイクロメートルの幅に加工する必要があり,これが第一の目標となる.アルゴンイオンミリング法ではレジストをマスクとする加工を行い,端面がエッチングされることにより細線あるいはドットの断面が台形状になるために,サブマイクロメートル・レベルでの加工を行なうには至らなかった.一方,一酸化炭素とアンモニアの混合ガスを用い,チタン蒸着膜をマスクとする反応性イオンエッチング法においては,ガス流量,混合比の最適化により0.3μm幅までの細線及びドットの加工に成功した.その際のマグネタイトとチタンのエッチングレートの比は6倍に達し,本研究の要求に沿う条件を確立することができた.端面もアルゴンイオンミリング法と比較してより急峻なものが得られており,物質による選択性だけでなく,エッチングの方向性にも優れていることがわかった.同様の結果がMn酸化物であるLaSrMnO薄膜においても得られており,本研究で主に扱う酸化物磁性体の加工方法として最適手法の一つであることが示された.
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