2002 Fiscal Year Annual Research Report

化合物半導体-シリコン無転位一体化層の高品質化と光デバイスへの応用

Research Project

Project/Area Number	14205004
Research Institution	Toyohashi University of Technology
Principal Investigator	米津宏雄豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90191668)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	古川雄三豊橋技術科学大学, 工学部, 助手 (20324486) 若原昭浩豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 (00230912)
Keywords	III-V-N混晶 / シリコン / 格子整合 / ヘテロエピキタシー / 無転位 / GaPN / 深い順位 / 光電子集積回路
Research Abstract	シリコン(Si)に格子整合するGaAsPNを中心にして、窒素(N)原子に起因する結晶欠陥と電気伝導を調べ、高速熱処理(RTA)による改善効果を検討した。発光効率は、RTA温度が700〜1000Cの範囲において、温度が高いほど増加した。また、バンド端以下の低エネルギー側の発光成分はRTAによって減少した。DLTS法で検出される深い順位の種類は、N組成の増加と共に増えたが、RTAによって減少することがわかった。ラマン分光では特定の振動モードがN原子の導入によって顕著に現れたが、RTAによる顕著な変化は見られなかった。これらの結果から、N原子に起因する欠陥は、N組成の増加と共に準安定な複合体を多く作るが、RTAによって解離して特定の安定な欠陥に集約する傾向があることがわかった。このことは、低エネルギー側の発光強度がRTAによって減少することとも符合する。また、N組成の空間的不均一もRTAによって減少することがわかった。電気伝導度は、N原子の導入によって減少し、電子濃度の減少と、移動度の減少が見られた。RTAによって、電子移動度が向上し、N原子に起因する欠陥が電子散乱に寄与していることがわかった。 Si-化合物半導体を一体化する光電子集積回路では、バンドギャップを広範囲に制御できれば優れたデバイス特性が得られ、設計の自由度が増す。このため、Siに格子整合する条件で、GaAsPNとInGaPNについて、N組成の増加を図った。いずれの混晶においてもN組成を7%まで増加させるこができた。とくに、InGaPNにおいては、原子状水素照射下で低温成長することにより、X線回折のロッキングカーブの半値幅が100arcsec以下の小さな値が得られ、高品質化手法の一つが見いだされた。

Research Products

(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] K.Momose, H.Yonezu, Y.Furukawa, A.Utsumi, Y.Yoshizumi, S.Shinohara: "Improvement of Crystalline Quality of GaAsyPl-x-yNx Layers with High Nitrogen Compositions at Low-Temperature Growth by Atomic Hydrogen Irradiation"J. Crystal Growth. 251/1-4. 443-448 (2003)
[Publications] K.Momose, H.Ycmezu, Y.Fujimoto, K.Ojima, et al.: "Hardening Effect of GaPl-xNx and GaAsl-xNx Alloys by Adding Nitrogen Atoms"Japanese Journal of Applied Physics. 41・12. 7301-7306 (2001)
[Publications] H.Yonezu: "Control Structure Defects in Group III-V-N Alloys Grown on Si"Semiconductor Science and Technology. 17. 762-768 (2002)
[Publications] Y.Furukawa, H.Yonezu, K.Ojima, K.Samonji, et al.: "Control of N content of GaPn Grown by Molecular Bean Epitaxy and Growth of GaPN Lattice-Matched to Si(100) Substrate"Japanese Journal of Applied Physics. 41・2A. 528-532 (2002)
[Publications] A.Wakahara, N.Kawamura, H.Ohishi, H.Okada, et al.: "Heteroepitaxial Growth of GaN on g-Al203/Si Substrate by Organometallic Vapor Phase Epitaxy"Sensors and Materials. 14. 263-270 (2002)
[Publications] H.Yonezu: "Epitaxial Growth of Dislocation-Free III-V-N compounds on Si Substrate"The 8^<th> IUMRS Int. Conf. on Electronic Materials, Abstract. 191 (2002)

2002 Fiscal Year Annual Research Report

化合物半導体-シリコン無転位一体化層の高品質化と光デバイスへの応用

Principal Investigator

米津 宏雄 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90191668)

Research Products

[Publications] K.Momose, H.Yonezu, Y.Furukawa, A.Utsumi, Y.Yoshizumi, S.Shinohara: "Improvement of Crystalline Quality of GaAsyPl-x-yNx Layers with High Nitrogen Compositions at Low-Temperature Growth by Atomic Hydrogen Irradiation"J. Crystal Growth. 251/1-4. 443-448 (2003)

[Publications] K.Momose, H.Ycmezu, Y.Fujimoto, K.Ojima, et al.: "Hardening Effect of GaPl-xNx and GaAsl-xNx Alloys by Adding Nitrogen Atoms"Japanese Journal of Applied Physics. 41・12. 7301-7306 (2001)

[Publications] H.Yonezu: "Control Structure Defects in Group III-V-N Alloys Grown on Si"Semiconductor Science and Technology. 17. 762-768 (2002)

[Publications] Y.Furukawa, H.Yonezu, K.Ojima, K.Samonji, et al.: "Control of N content of GaPn Grown by Molecular Bean Epitaxy and Growth of GaPN Lattice-Matched to Si(100) Substrate"Japanese Journal of Applied Physics. 41・2A. 528-532 (2002)

[Publications] A.Wakahara, N.Kawamura, H.Ohishi, H.Okada, et al.: "Heteroepitaxial Growth of GaN on g-Al203/Si Substrate by Organometallic Vapor Phase Epitaxy"Sensors and Materials. 14. 263-270 (2002)

[Publications] H.Yonezu: "Epitaxial Growth of Dislocation-Free III-V-N compounds on Si Substrate"The 8^<th> IUMRS Int. Conf. on Electronic Materials, Abstract. 191 (2002)

米津宏雄豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (90191668)