2003 Fiscal Year Annual Research Report
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14702033
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
末岡 和久 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (60250479)
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| Keywords | スピンエレクトロニクス / スピン注入 / 走査型トンネル顕微鏡 / スピン偏極走査型トンネル顕微鏡 |
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| Research Abstract |
(1)強磁性体・半導体トンネル接合を用いたスピン注入
昨年度、強磁性体/AlAs/GaAsのトンネル接合実験での発光効率の向上を図るために、今強磁性体/AlG/p-i-n構造のLED構造を作製し、スピン注入を試み、へき開面からのスピン依存発光の測定を行った。発光効率は向上し、外部印加磁場に対する履歴は見られたが、履歴曲線にオフセットがあるなど、単純なモデルでの説明が難しく、実験結果の考察を進めている。
(2)局所的スピン注入実験を行うための実験系の準備
Fe薄膜の原子分解能STS測定から、Fe薄膜上に見られるC(2x2)構造を構成する原子が下地の(1x1)表面の電子状態に対して閉じ込め効果を誘起していると予測される結果が得られた。つまり、C(2x2)表面において、表面準位が強く測定されるのはC(2x2)ほフォローサイトであり、トップサイトでは表面順位が測定できず、測定される表面準位のエネルギーシフト量が(1x1)の表面準位がその起源であると過程し、C(2x2)を構成する原子によって量子閉じ込め効果が加わると仮定するとよく説明できることを見出した。
また、マグネタイト表面では、作製方法を変えることにより、表面の鉄サイトにおける電荷配置のことなる表面が作れることを見出し、強磁性体探針を用いると、それぞれに異なるスピン依存原子像がえられることを確認した。
さらに低温STM装置の試料および探針保持部を改良し、強磁性体試料の測定に適合した機構にする検討を進めている。
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