2005 Fiscal Year Annual Research Report
高度界面制御有機・無機複合構造による量子物性の発現と応用
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14GS0207
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
斉木 幸一朗 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 (70143394)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
青木 秀夫 東京大学, 大学院理学系研究科, 教授 (50114351)
島田 敏宏 東京大学, 大学院理学系研究科, 助教授 (10262148)
上野 啓司 埼玉大学, 理学部, 助教授 (40223482)
佐々木 岳彦 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助教授 (90242099)
池田 進 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助手 (20401234)
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| Keywords | ヘテロ界面 / 有機薄膜 / 電界効果トランジスタ / 走査トンネル顕微鏡 / NEXAFS / ペンタセン / フラレン / グラフェン |
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| Research Abstract |
高度に制御された有機無機ヘテロ界面を実現し,電界による電荷注入や界面相互作用における多体効果による新奇量子現象の発現を最終目標として今年度は以下の研究を行なった.
高度な薄膜成長制御;レーザー照射下におけるAlq_3分子軸優先配向が光励起過程によることを明らかにした.Si基板上へ成長させたジアセチレン誘導体の重合膜の方位をsub mmスケールまで揃えることに成功した.微細加工したSiO_2基板上へのsexithiophene薄膜成長で,有機薄膜系において初めてグラフォエピタキシーに成功した.
In situ FET特性評価;同一試料に対して薄膜成長中のFET測定,電子分光による薄膜評価が行なえるシステムを改良し,FETにおけるキャリアの極性と電子状態の変化を詳細に追跡した.AFMとFETの同時測定により,ペンタセン薄膜の不安定性を見出した.C_<60> FETについて,種々の気体を吸着させ,FET特性の変化から,伝導機構について考察した.
ヘテロ界面特性;長鎖アルカン薄膜(TTC,C_<44>H_<90>)結晶/金属界面において見いだしたギャップ状態について,Cu,Ni金属基板上のヘテロ構造について第一原理計算をおこない,MIGSの存在を明らかにした.またdバンドの位置によるHOMO,LUMO状態密度の差異と,電荷注入による有機強磁性発現の可能性を呈示した.Pt基板上へのグラフェン粒径制御法を確立し,エッジ状態強度の大きい試料を調製して分光学的手法によってエッジ状態を観測した.
有機強磁性;酸素雰囲気下レーザー照射によるC_<60>薄膜の磁性について,光電子分光測定によりC_<60>ケージ破損の初期過程で磁性が発現することを見出した.水素化C_<60>薄膜について電子回折,電子分光によりT-C_<60>H_<36>結晶が生成し,磁性を発現することを見出した.
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Research Products
(21 results)
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[Journal Article] Metal induced gap states at well-defined organic insulator/metal interface2005
Author(s)
M.Kiguchi, R.Arita, G.Yoshikawa, Y.Tanida, S.Ikeda, S.Entani, I.Nakai, H.Kondoh, T.Ohta, K.Saiki, H.Aoki
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Journal Title
Physical Review B 72
Pages: 75446
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