2015 Fiscal Year Annual Research Report
ナノギャップシステムを用いた強磁性単電子トランジスタの開発
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14J08599
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
須田 隆太郎 東京農工大学, 大学院工学府, 特別研究員(DC2)
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| Project Period (FY) |
2014-04-25 – 2016-03-31
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| Keywords | 単電子トランジスタ / ナノギャップ / FMSET |
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| Outline of Annual Research Achievements |
前年度はNi系ナノギャップを利用し強磁性単電子トランジスタの室温動作を実証した。今年度は素子作製の高スループット化を視野に入れ、ナノシリコン弾道電子源を用いたプリンティング薄膜堆積法の提案と実験的･理論的検証を行った。極微量のCuCl2水溶液を塗布した基板を低気圧不活性ガス中で電子源と近接対向させ弾道電子を直接照射することにより、還元効果に基づくCu薄膜堆積現象を実証した。本手法はCuだけでなく強磁性金属にも適用できると考えられる。これらにより、常温･クリーン･低ダメージの新規固体薄膜堆積法としての有用性が明らかにされ、強磁性単電子デバイスの作製につながる微細プロセス技術を固めることができた。
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Journal Article] Development of Ballistic Hot Electron Emitter and Its Applications to Parallel Processing: Active-Matrix Massive Direct-Write Lithography in Vacuum and Thin Film Deposition in Solutions2015
Author(s)
N. Koshida, A. Kojima, N. Ikegami, R. Suda, M. Yagi, J. Shirakashi, H. Miyaguchi, M. Muroyama, S. Yoshida, K. Totsu, and M. Esashi
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Journal Title
J. of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS
Volume: 14
Pages: 031215/1-7
DOI
Peer Reviewed
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