2004 Fiscal Year Annual Research Report
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15073222
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| Research Institution | Toho University |
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Principal Investigator |
梶田 晃示 東邦大学, 理学部, 教授 (50011739)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
西尾 豊 東邦大学, 理学部, 教授 (20172629)
田嶋 尚也 理化学研究所, 研究員 (40316930)
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| Keywords | ナローギャップ半導体 / 有機伝導体 / 磁気抵抗 |
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| Research Abstract |
1.α-(BEDT-TTF)_2I_3の面間方向の電気抵抗
この物質は、高圧力下でナローギャップ半導体になる。本研究では、絶縁体相からナローギャップ半導体への変化がどのようにして起こるかを調べた。その結果、11kbarの静水圧を境にして、低圧側の絶縁体相から高圧の半導体の状態に移行することが明らかになった。この変化は急激で狭い圧力領域で起こることから圧力誘起の相転移である可能性が大きい。
2.α-(BEDT-TTF)_2I_3のバンド構造
最近、この物質が圧力下でゼローギャップの半導体になる可能性が、鈴村グループによるバンド計算によって示された。そこで、我々は、仮想的なモデル結晶を作って、どのような分子間の移動積分の場合にゼロギャップないしはナローギャップの半導体が実現するかを調べた。その結果、相当広いパラメータ領域でゼロギャップが実現すること、一旦ゼロギャップの状態に入ると、移動積分の値が少々変化してもその状態から抜け出られないことが分かった。
3.α-(BEDT-TTF)_2I_3の光伝導
田嶋尚也は、常圧下、低温で電荷整列状態にある試料について光伝導の研究を始めた。強光励起すると試料が金属化する等の興味深い結果を得た。
4.高圧下におけるκ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の面間方向磁気抵抗
電子相関が強い上記物質について高圧力下で、面間抵抗に対する横磁場効果を調べた。面間抵抗は広い温度,磁場領域でρ=ρ_0(1+(ωτ)^2)^<1/2>と表されることが明らかになった。
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