2003 Fiscal Year Annual Research Report
極端紫外域での位相差型X線顕微鏡による表面微細構造観察
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15206010
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Research Institution | Himeji Institute of Technology |
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Principal Investigator |
木下 博雄 姫路工業大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (50285334)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
格内 敏 姫路工業大学, 工学研究科, 助教授 (10101130)
渡邊 健夫 姫路工業大学, 高度産業科学技術研究所, 助手 (70285336)
新部 正人 姫路工業大学, 高度産業科学技術研究所, 助教授 (10271199)
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| Keywords | 軟X線位相差顕微鏡 / EUVリソグラフィー / 欠陥検査 / 位相欠陥 / ミラウ干渉計 |
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| Research Abstract |
本研究では6インチ角ガラスマスク基板上の多層膜欠陥の高速,かつ高分解な検査法として,位相差極端紫外顕微鏡を開発し,マスクパタンを直接拡大観察し,かつ位相欠陥を同時に観察することを狙いとしている.
予備検討として進めてきたEUV顕微鏡での観察で.250nmの線幅をもつデバイス用マスク(吸収体にはTaBN)が観察できた.これは露光装置の縮小率が1/5なので,転写後では50nmの線幅に相当する.さらにTaBNとCrを吸収体とするマスクでの解像度比較を進めた.Crに比べ,TaBNの表面ラフネスは小さく,吸収体表面での散乱が抑えられるため,解像度も向上することが明らかになった.従来,吸収体の面粗さは無視されると考えていたが,はじめてその影響を明らかにした.
また,ニュースバルビームラインに開発する装置を設置する環境の整備を進め,とくに,(1)Schwarzchild光学系,(2)ミラウ干渉機構部の開発を進めた.(1)のSchwarzchild光学系はZerodurの凹凸ミラーとも形状精度0.4nm以下,粗さも0.2nm以下という極めて良好な性能のものを入手できた.現在d-gradedなMo/Si多層膜の製膜中である.(2)のミラウ干渉機構では,まず駆動系として1枚のPZTと静電容量センサでの非線形性の補償回路を設けたものを製作し,3nm±0.2nmのStep駆動を得,干渉制御の見通しを得ている.ビームスプリッターに使用するMo/Si多層膜の成膜技術は中古装置に更改し,これまでに13.5nmで61%(目標68%)を確認でき,ビームスプリッター作りの見通しを得ている.これらを組み合わせて16年度後半から観察実験をおこなう.
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[Publications] T.Haga, H.Kinoshita, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, S.Kakunai, H.Tsubakino, T.Watanabe: "Evaluation of Finished EUVL Mask using a Mirau Intergerometric Microscope"Jpn.J.Appl.Phys. 42、6. 3771-3775 (2003)
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[Publications] K.Hamamoto, S.Takada, T.Watanabe, N.Sakaya, T.Shoki, M.Hosoya, H.Kinoshita: "Investigation of Contamination Removal from Finished EUVL Mask"J.Photopolym.Sci.Technol.. 16, 3. 395-400 (2003)
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[Publications] T.Kinoshita, T.Haga, K.Hamamoto, S.Takada.N.Kazui, S.Kakunai, H.Tsubakino, T.Shoki, M.Endo, T.Watanabe: "Actinic mask metrology for extreme ultraviolet lithography"J.Vac.Sci.Technol.. B22(1). 264-267 (2004)
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[Publications] T.Watanabe, T.Haga, T.Shoki, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, S.Kakunai, H.Tsubakino, H.Kinoshita: "Pattern Inspection of EUV Mask using a EUV Microscope"Proc.SPIE. 5130. 1005-1013 (2003)
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[Publications] T.watanabe, K.Hamamoto, H.Kinoshita, H.Hada, H.Komano: "Resist outgassing characteristics in EUVL"Jpn.J.Appl.Phys.. 43,6. (2004)
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[Publications] K.Hamamoto, T.Watanabe, N.Sakaya, M.Hosoya, T.Shoki, H.Hada, N.Hishinuma, H.Sugahara, H.Kinoshita: "Cleaning of EUVL masks and optics using 172-nm and 13.5-nm radiation"Jpn.J.Appl.Phys.. 43,6. (2004)
