ランタノイドイオンを含むヘテロ多核金属錯体の合成

2003 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 15550055
• Research Institution: Chiba Institute of Technology
• Principal Investigator: 槌本 昌信 千葉工業大学, 工学部, 助教授 (10255599)
• Keywords: ランタノイドイオン / ヘテロ多核金属錯体 / バナジウム錯体 / 合成 / 磁性

Research Abstract

近年、ランタノイドイオンを含む金属錯体は磁性体や発光材料、触媒などへの応用目的からさかんに研究が行われている。申請者は新たにランタノイドイオンと他の遷移金属イオンを含むヘテロ多核金属錯体を合成し、新たな物性と反応性を持つ化合物の開発を試みた。
5座のシッフ塩基を配位子とするオキソバナジウム(IV)錯体[VO(HL)](H_3L:N,N'-di-3-ethoxysalicylidene-2-hydroxy-1,3-propanediamine)とLn(acac)_3(Ln=Eu,Gd,Tb,Ce)を反応させ、V(V)-Ln(III)-Ln(III)-V(V)(Ln=Eu,Gd,Tb)4核錯体とV(V)-Ce(IV)-V(V)3核錯体の合成に成功し、構造決定を行った。これらの錯体のCVを測定すると、V-Ln(Ln=Eu,Gd,Tb)4核錯体では-2.5Vから+2.0V(vs.Ag/Ag^+)の範囲でレドックスは観測されないが、V-Ce3核錯体では、-0.06V付近に2電子1段階の準可逆な酸化還元波を示すことが明らかになった。
また、三脚型6座のシッフ塩基を配位子とするNi(II)錯体、[Ni(HL')](H_3L':1,1,1-tris(N-salicylideneaminomethyl)ethane)をGd(hfc)_3(hfc:hexafluoroacetylacetone)、Gd(NO_3)_3、Gd(CH_3COO)_3とそれぞれ反応させるとNi(II)-Gd(III)2核錯体、Ni(II)-Gd(III)-Ni(II)3核錯体、Ni(II)-Gd(III)-Gd(III)-Ni(II)4核錯体がそれぞれ生成した。これらの錯体のNi(II)-Gd(III)イオン間には強磁性的相互作用があることが明らかとなった。

Research Products

• [Publications] Tomoka Yamaguchi et al.: "Syntheses, structures, and magnetic properties of complexes with NiGd, NiGdNi, and NiGdGdNi cores supported by tripodal ligands"Chemical Communications. in press.