2003 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
15560001
|
|---|
| Research Institution | Hirosaki University |
|---|
Principal Investigator |
真下 正夫 弘前大学, 理工学部, 教授 (30292139)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐々木 正洋 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (80282333)
中澤 日出樹 弘前大学, 理工学部, 助手 (90344613)
小豆畑 敬 弘前大学, 理工学部, 助教授 (20277867)
|
|---|
| Keywords | 分子線エピタキシー / 半導体量子構造 / 化合物半導体 / 光・電子半導体デバイス / エピタキシャル成長機構 / 超格子 / InAs / GaAsヘテロ構造 |
|---|
| Research Abstract |
本研究では最も基本的な構造としてInAs/GaAsヘテロ構造を取り上げ、GaAs基板上にGaAs/InAs/GaAs量子構造を作製することを試みた。GaAs(001)面では格子不整合のため三次元成長になるが、比較的早く緩和が進み二次元成長するといわれているGaAs(111)A面上でInAsを成長した。GaAs(111)A面上のInAsにおいては、電気的特性は報告されているが、光学的特性はまだ報告例がない。最初GaAs/InAs/GaAs(111)A量子井戸構造を作製し、低温(10K)でのフォトルミネッセンス(PL)測定により評価した。これまで、GaAs/InAs/GaAs量子井戸構造のInAs井戸層からのPL発光は観察例がなく、本研究により初めて観察された。InAs井戸層が1.5ML,3ML,6MLに対してそれぞれ1.45eV,1.41eV,1.36eVにPLピークが観察された。しかし、InAs層が厚くなるとInAsの結晶性の劣化のためPL強度は減少した。したがって、GaAs(111)A基板上のGaAs/InAs/GaAs量子構造の結晶性の高品質化を目的にGaAsバッファ層の上に(10-nmGaAs/15-nmAl_<0.3>Ga_<0.7>As)_5の超格子バッファ層を積層し、その上にGaAs/InAs/GaAs量子構造を成長させた。その結果、超格子バッファ層を挿入した試料では、InAs SQWからのPLピーク強度は増加し、超格子バッファ層によって井戸層およびキャップ層の結晶性を向上できることが分かった。
|
Research Products
(2 results)
-
[Publications] M.Mashita et al.: "Photoluminescence from Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs(111)A Substrates"Jpn.J.Appl.Phys.. 42・7B. L807-L809 (2003)
-
[Publications] M.Mashita et al.: "Ultrathin InAs/GaAs Single Quantum Wells Grown on GaAs(111)A Substrates by molecular beam epitaxy"IEE Proceedings-Optoelectronics. 150・4. 399-402 (2003)
