GHz帯動作の集積回路に用いるヘテロアモルファス超高周波インダクタ磁心の開発

2003 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 15560285
• Research Institution: Sojo University
• Principal Investigator: 宗像 誠 崇城大学, 工学部, 助教授 (10183112)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 八木 正昭 崇城大学, 工学部, 教授 (80005371)
• Keywords: GHz帯 / ヘテロアモルファス / 磁性膜 / 磁心 / 高周波透磁率 / インダクタ / 集積回路 / 高電気抵抗

Research Abstract

平成15年度当該科学研究補助金について,当初の申請研究計画に基づいて以下のような実績を得た.
本年度当初は、研究代表者(宗像)がヘテロアモルフアス磁性薄膜の試作を行い,最適原子組成の探査を行った.その結果,共鳴周波数6GHz,飽和磁化10-20kG比透磁率30-50の有効な高周波透磁率特性を得ることができた.これらの材料特性は,1-2GHz帯の磁心として共鳴損失の低い超高周波特性を持つ.その成果は,内外論文誌発表5件,日本応用磁気学会講演発表2件,インターマグ(IEEE)国際会議発表1件,スウェーデン王立工科大学招待講演1件,電気学会マグネティックス研究会講演2件,電気学会調査専門委員会発表1件に及んで報告した.
さらに,本年度後半は研究分担者(八木)が,開発ヘテロアモルファス磁性薄膜を超高周波インダクタデバイスとして伝送線路デバイスに適用し,その一次試作を行った.この試作により,磁性特性の最適化要素を探索しながら磁心損失どデバイス加工プロセスとの関係を調査検討した結果,ヘテロアモルファス磁性薄膜のデバイス機能化への要点と改良点とを明らかすることに成功した.その成果は,論文誌発表1件,日本応用磁気学会発表1件,電気学会マグネティックス研究会講演2件,電気学調査専門委員会発表1件に及んで報告した.
以上の実績では,研究代表者および研究分担者の円滑な連携により本年度研究計画のほとんどが達成されているが,残された課題及び新たな課題については次年度研究計画の若干の変更で対処する予定である.

Research Products

• [Publications] 並河雅志: "高異方性磁界を持つCo-Fe-B系軟磁性膜のGHz帯透磁率特性"日本応用磁気学会誌. 27・4. 371-374 (2003)
• [Publications] P.Jonnesson: "Transport anisotropy in hetero-amorphous (CoFeB)-SiO_2 thin films"J.Appl.Phys.. 93・10. 8101-8103 (2003)
• [Publications] P.Jonnesson: "In-plane anisotropy in heter-amorphous (CoFeB)-SiO_2 thin films"The Proceedings of the MRS Cof.as a special issue of J.Appl.Phys.. 754. (2003)
• [Publications] 宗像 誠: "高電気抵抗ヘテロアモルファス膜の異方性磁界とGHz帯高周波透磁率"日本応用磁気学会誌. 27・3. 200-208 (2004)
• [Publications] 中山英俊: "CoFeBアモルファス金属磁性膜を用いたGHz帯用薄膜コプレーナー伝送線路の試作"日本応用磁気学会誌. 27・4. (2004)
• [Publications] M.Munakata: "Uniaxial Anisotrop Field of (Co_<18>Fe_<82>)-(SiO_2) thin film Core in the GHz Frequency Range"IEEE.Trans.Mag.. (2004)