2004 Fiscal Year Annual Research Report
Niドーパント分布場の積極的導入によるアモルファスシリコンの大粒径結晶化
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15686032
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
野田 優 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50312997)
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| Keywords | アモルファスシリコン / ニッケル誘起結晶化 / ニッケルシリサイド / 急速熱アニール / 核発生 / シリコン結晶粒の大粒径化 / 薄膜X線回折 |
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| Research Abstract |
本研究では、アモルファスシリコン上にニッケルの放射状の分布をつけアニールすることで、ニッケル誘起結晶化により、中心から核発生させ、扇形に2次元的に結晶を成長させ、大粒径の多結晶膜を得ることを目指す。昨年度までにNi濃度分布場の形成法を確立した為、本年度はNi濃度分布およびアニール条件の改良により、シリコン結晶粒の大粒径化と質の向上を試みた。
昨年度までの実験により、直径1mm程度の円状の結晶化領域を形成できていたが、構造解析により、この結晶は微結晶構造を取っていることが分かった。これは、a-Si膜厚50〜100nmに対し、Niを数nm供給していた為、ニッケルシリサイドの量論に近く、核発生が高密度に起きた為と考えられる。そこで、Ni濃度を大幅に下げ、プロファイルの中心部のNi濃度が0.1〜10pm程度と、極疎らにNi原子が存在するよう条件を変更した。このサンプルを急速熱アニールし、ラマン散乱分光で分析したところ、プロファイル中心部が数pmの条件で結晶成長が促進されることが分かった。なお、膜厚50〜100nmのアモルファスシリコンは可視光を良く吸収し褐色であるが、結晶化部は光を良く透過し、白色になった。現在、薄膜X線回折による面内結晶粒径の評価を進めている。
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Research Products
(2 results)
