エネルギー材料の素子動作下における界面解析

2015 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 15F15794
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 吉武 道子 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノエレクトロニクス材料, MANA研究者 (70343837)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): CHUNDAK MYKHAILO 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノエレクトロニクス材料, 外国人特別研究員
• Project Period (FY): 2015-11-09 – 2018-03-31
• Keywords: 高エネルギーXPS / Ti X‐α / 光電子分光

Outline of Annual Research Achievements

研究に必要な様々な超高真空コンポーネントを超高真空チャンバーへマウントし、真空引き、ベーキング、リーク箇所探し、リーク止め、X線源・イオン銃・高速反射電子線回折用電子銃のガス出し、高エネルギー分析器のマルチチャンネルトロンおよびインプットレンズのガス出しを行った。
電子の運動エネルギー範囲、0～3200eV測定用のソフトウェア、0～5000eV測定用のソフトウェアの動作チェックを行った。
サンプルホルダーの出し入れ、高エネルギー分析器用の試料ホルダーの改造を行った。

Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

当初の予定通り、装置の立ち上げが完了したため。

Strategy for Future Research Activity

研究計画通り、インジウムを用いたTi励起XPSスペクトル取得のテスト、積層構造を持つデバイス材料のTi励起XPSスペクトル取得、デバイスにバイアス電圧を印加した状態におけるTi励起XPSスペクトル取得へと進める。