2015 Fiscal Year Annual Research Report
宇宙機器向けシールドレス耐放射線プログラマブルデバイスの研究開発
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15H02676
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
渡邊 実 静岡大学, 工学部, 准教授 (30325576)
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2015-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | 耐放射線FPGA / 光再構成型ゲートアレイ / ホログラムメモリ / プログラマブルデバイス / 組み込みシステム |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度はコバルト６０のγ線源を用いてホログラムメモリ部と、レーザアレイ部に対して放射線試験を実施した。ホログラムメモリ部については、フィルムタイプのホログラムメモリを導入し、当初の研究目標である10 Mradを大幅に超える100 Mradもの放射線耐性試験に成功した。この試験においては、γ線を受けても、コンテキストパターンが正しく生成され、光再構成型ゲートアレイのプログラミングに使用可能であることを実証している。レーザアレイ部についても、同じく、当初の目標10 Mradを大幅に超える、180 Mradまでのトータルドーズ耐性試験に成功した。また、光再構成システムのパッケージを開発し、光再構成型ゲートアレイシステムとして、放射線試験を実施できる環境を整えた。
また、本年度は新しい光再構成型ゲートアレイVLSIを設計した。光再構成型ゲートアレイの光学部の100 Mradオーバーの耐放射線性能を実証できたことから、VLSI部の耐放射線性能についても100 Mradとすることを決め、それに対応可能な光再構成型ゲートアレイ・アーキテクチャの検討を進めた。課題は光再構成型ゲートアレイ部で共通に使用する信号の取り扱いにあるが、特に、全フォトダイオードを共通信号で制御する方法を改め、独立で稼働できる２つのフォトダイオードを使用する方法に切り換えることとした。この結果、構成回路部が故障する確率を劇的に低減することができた。このVLSIは次年度に試作し、耐放射線試験を行なう予定である。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
３研究項目とも問題無く順調に進めている。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後も、γ線源を利用した放射線試験を行なうことで、実験的に耐放射線性能を実証してきたい。この実証のためには、放射線下での測定技術も必要になるが、それらの開発も併行して行なっていく。
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Research Products
(28 results)
