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2017 Fiscal Year Annual Research Report

Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn wires on an insulator by lateral liquid-phase epitaxy towards electronic and opto-electronic device applications

Research Project

Project/Area Number 15H03975
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

志村 考功  大阪大学, 工学研究科, 准教授 (90252600)

Project Period (FY) 2015-04-01 – 2018-03-31
Keywords電子・電気材料 / エピタキシャル成長 / 結晶工学 / 電子デバイス / 結晶成長
Outline of Annual Research Achievements

本研究課題は、局所エピタキシャル成長によるGeワイヤ作製法を進化させ、歪み制御したSn添加Geワイヤを作製し、次世代の高度情報化社会を担う高速かつ低消費電力の光・電子融合デバイスへの応用を目指すものである。本研究では、局所液相エピタキシャル成長によるGeワイヤの作製とその基礎的知見の取得、また、電子デバイス応用に向けたトランジスタの試作と特性評価、さらに光・電子融合デバイスに向けた光学特性評価とフォト・発光ダイオードの試作を行う。本年度は下記の4項目を行った。
1) 反転型nチャネルトランジスタの試作と特性評価:局所液相エピタキシャル成長により作製したp型Geワイヤにイオン注入によりn型ソース/ドレイン領域を形成しトランジスタを試作した。活性化アニール条件を最適化することにより271 cm2/Vsという高い電子移動度を確認することができた。
2) 近赤外領域の発光ダイオードの試作と特性評価:1)と同様にイオン注入によりpn接合を形成し、フォトダイオードを試作したところ、低い暗電流と高いon/off比を同時に達成することができた。
3) レーザー溶融結晶化による単結晶GeSnアレイの作製とフォトダイオードの近赤外受光特性評価:実用化を目指しレーザーアニールによる局所加熱による局所液相エピタキシャル成長法を検討し、単結晶GeSnアレイを形成できることを示した。また、この手法により作製したフォトダイオードの近赤外受光特性を評価したところ、1.55 um光に対し、1.3 A/Wという高い受光感度を確認することができた。
4) 室温レーザー発振に向けたファブリ・ペロー(FP)型共振器の試作と特性評価:Geワイヤを短冊状に加工することでFP型共振器を作製した。共振ピークが共振長に対応することからFPモードの共振であることが確認できた。

Research Progress Status

29年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

29年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (9 results)

All 2018 2017

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization2018

    • Author(s)
      H. Oka, T. Tomita, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 11 Pages: 011304-1-4

    • DOI

      10.7567/APEX.11.011304

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018

    • Author(s)
      冨田 崇史, 岡 博史, 井上 慶太郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    • Organizer
      電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第23回研究会)
  • [Presentation] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018

    • Author(s)
      細井 卓治, 岡 博史, 井上 慶太郎, 志村 考功, 渡部 平司
    • Organizer
      電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第23回研究会)
  • [Presentation] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018

    • Author(s)
      岡 博史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018

    • Author(s)
      岡 博史, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate2017

    • Author(s)
      H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
    • Organizer
      2017 Symposium on VLSI Technology
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip2017

    • Author(s)
      H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
    • Organizer
      63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications2017

    • Author(s)
      T. Hosoi
    • Organizer
      The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017

    • Author(s)
      岡 博史、井上 慶太、冨田 崇史、和田 裕希、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    • Organizer
      2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会

URL: 

Published: 2018-12-17  

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