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2016 Fiscal Year Annual Research Report

Development of Materials Informatics to Predict Polarization at Oxide Hetero-Interfaces

Research Project

Project/Area Number 15H03979
Research InstitutionWaseda University

Principal Investigator

渡邉 孝信  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00367153)

Project Period (FY) 2015-04-01 – 2018-03-31
Keywords電子・電気材料 / 計算物理 / 表面・界面物性 / ナノ材料
Outline of Annual Research Achievements

本年度は、これまで計算で再現されていながらそのメカニズムが説明できなかったAl2O3/SiO2界面型の分極層形成メカニズムを特定することに成功した。Al2O3/SiO2界面では、酸素イオンが高密度側のAl2O3側から低密度側のSiO2側に移動して分極層が形成されるが、この偏移動の駆動力が酸素イオン芯間の反発相互作用であることを突き止めた。酸素イオン芯同士の反発ポテンシャルは酸素密度が高いほど大きくなり、急激に酸素イオン密度が変化する異種物質界面では反発力に不均衡が生じるため、酸素密度の低い側に酸素イオン偏移動することが判明した。これにより、正負両方向の分極層の起源が判明し、2年度目にして本研究の主要目的の一つが達成された。

また、理論的体系化が困難と予想される多元酸化物同士の界面分極について、階層型ニューラルネットワーク(NN)モデルを用いた発見的予測の可能性を検討した。Al、Mg、Sr、Tiの4種類の金属元素が混合した様々な組成の酸化物とSiO2の界面の分子動力学(MD)計算を行い、界面におけるイオンの偏移動によって生じたダイポールモーメントのデータを、4層構造のNNで学習させた。非常に単純なNNモデルにも関わらず、既知データの学習は問題なく行えた。しかし、未学習データについてはNNによる予測とMD計算の間には有意な相関がみられなかった。今後、学習データの増加、データを特徴づける適切な記述子について検討を進めていく。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

これまでメカニズムが説明できなかったAl2O3/SiO2界面型の分極層形成メカニズムを、本年度のに特定することに成功した。この成果は国際会議MNC2016でも高く評価され、本成果を口頭発表した修士課程学生がYoung Author's Awardを受賞した。これで正負両方向の分極層の起源が明らかとなり、2年度目にして本研究計画の主要目標の一つが達成されたことから、当初の計画以上に進展していると自己評価した。ニューラルネットによる多元酸化物系の機械学習も計画通り進んでいる。発見的予測までは至っていないものの、単純な階層構造ニューラルネットワークモデルで既知データの学習が可能であることが判明している。

Strategy for Future Research Activity

酸化物から窒化物に対象を拡げ、酸化物系で構築したモデルが窒化物系にどこまで適用できるか調査する。窒化物系については系統的な実験データが発表されていないため、今後本研究で窒化膜の堆積実験と電気特性評価を実施していく予定である。ニューラルネットを用いた機械学習については、発見的予測を目指す前にまず、組成比等、人間にとって当たり前の指標を機械が自発的に認識できるか否かを試していく。

  • Research Products

    (10 results)

All 2017 2016

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 2 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Driving force of oxygen ion migration across high‐k/SiO2 interface2017

    • Author(s)
      Ryota Kunugi, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 10 Pages: 031501 1-4

    • DOI

      10.7567/APEX.10.031501

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Anomalous flatband voltage shift of AlFxOy/Al2O3 MOS capacitors: A consideration on dipole layer formation at dielectric interfaces with different anions2017

    • Author(s)
      Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, and Koji Kita
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 110 Pages: 162907 1-6

    • DOI

      10.1063/1.4980059

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] 分子動力学計算によるAlOxNy/SiO2界面におけるダイポール形成メカニズムの考察2017

    • Author(s)
      高橋 憶人, 功刀 遼太, 中川 宣拓, 渡邉 孝信
    • Organizer
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-03-15
  • [Presentation] High-k/SiO2界面における酸素イオン移動の駆動力2017

    • Author(s)
      功刀 遼太, 中川 宣拓, 渡邉 孝信
    • Organizer
      「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
    • Place of Presentation
      東レ研修センター(静岡県三島市)
    • Year and Date
      2017-01-20
  • [Presentation] Molecular Dynamics study on Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interface: -Possibility of Oxygen Ion Migration Induced by the Imbalance of Multipole Potentials-2016

    • Author(s)
      Ryota Kunugi, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe
    • Organizer
      the 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016)
    • Place of Presentation
      ANA CROWNE PLAZA KYOTO
    • Year and Date
      2016-11-11
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Atomistic Origin of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interface2016

    • Author(s)
      Takanobu Watanabe
    • Organizer
      13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-13)
    • Place of Presentation
      Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Rome, Italy
    • Year and Date
      2016-10-10
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Molecular Dynamics Simulations on the Formation of Dielectric Thin Films and Interface Properties2016

    • Author(s)
      Takanobu Watanabe
    • Organizer
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016), Short Course
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場
    • Year and Date
      2016-09-26
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] ニューラルネットによるHigh-k/SiO2界面分極の予測能力2016

    • Author(s)
      中根 滉稀, 功刀 遼太, 富田 基裕, 渡邉 孝信
    • Organizer
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ, 新潟
    • Year and Date
      2016-09-15
  • [Presentation] High-k/SiO2界面におけるダイポール形成メカニズムの考察 -多重極子ポテンシャル差による酸素イオン移動の可能性-2016

    • Author(s)
      功刀 遼太, 中川 宣拓, 渡邉 孝信
    • Organizer
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ, 新潟
    • Year and Date
      2016-09-15
  • [Presentation] Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions2016

    • Author(s)
      Jiayang Fei, Ryota Kunugi, Takanobu Watanabe, Koji Kita
    • Organizer
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ, 新潟
    • Year and Date
      2016-09-15

URL: 

Published: 2018-01-16  

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