2015 Fiscal Year Annual Research Report
シリコンMOS技術と整合性をもつスピン量子ビットとその大規模集積化
| Project/Area Number |
15H04000
|
|---|
| Research Institution | Institute of Physical and Chemical Research |
|---|
Principal Investigator |
大野 圭司 国立研究開発法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 専任研究員 (00302802)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2020-03-31
|
| Keywords | スピン |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
短チャンネルMOSFET素子にさまざまな値のストレスゲート電圧を一定時間印加し、その前後のクーロンダイヤモンド（CD）特性を比較した。その結果あるストレス電圧値を境にCD特性は大きく変化し、新たなDB欠陥の生成を示唆する結果を得た。素子を一度100℃まで昇温後、再度1.5Kにて測定すると、CD特性はストレス印加前のものにほぼ戻るため、これらの一連の結果はストレス電圧印加後のCD特性の変化が比較的小さなエネルギーで生成・消滅することを示唆しており、水素の剥離によるDB欠陥生成エネルギーと矛盾しないことがわかっている。新たに生じたCD特性の周辺において観測された2重ドット的伝導と、そこでの電気検出磁気共鳴スペクトルの形状について解析を行った。その結果、複数の磁気共鳴スペクトル間に反交差が見られ、これは素子の交換相互作用およびスピン・軌道相互作用に起因することがわかった。2重ドットの各ドットにそれぞれ1つ含まれるスピン間の交換相互作用の大きさは15GHz、スピン・軌道相互作用の大きさは3GHzであった。また共鳴線幅は57MHz (0.65mT)と小さく、長い量子コヒーレンス時間が期待できるものであった。
任意波形発生装置およびマイクロ波スイッチを導入しパルス変調したマイクロ波を生成するための測定系の構築を行った。当初予定していた単一のBD欠陥スピンのコヒーレント操作にまではいたっていない。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
パルス変調したマイクロ波を生成するための測定系の構築に時間を要し、当初予定していた単一のBD欠陥スピンのコヒーレント操作にまではいたっていない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
研究計画にそって推進する。
|
Research Products
(8 results)
-
-
-
-
-
-
[Presentation] ON current boosting in Silicon-based Tunnel FETs Utilizing Isoelectronic Trap Technology2015
Author(s)
[6]T. Mori, Y. Morita, S. Migita, K. Hukuda, Q. Mizubayashi, T. Yasuda, M. Masahoku, T. Matsukawa, H. Ota, S. Moriyama, K. Ono, S. Iizuka, T. Nakayama
Organizer
The 2015 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2015 IWDTF)
Place of Presentation
Miraikan（東京都・江東区）
Year and Date
2015-11-03 – 2015-11-03
Int'l Joint Research / Invited
-
-
