Control of optical and electronic properties of high-quality multiple-band gap semiconductors for intermediate band solar cells

2018 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 15H04253
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Energy engineering
• Research Institution: Saga University
• Principal Investigator: TANAKA Tooru 佐賀大学, 理工学部, 教授 (20325591)
• Project Period (FY): 2015-04-01 – 2019-03-31
• Keywords: 中間バンド型太陽電池 / マルチバンドギャップ半導体 / テルル化亜鉛 / 分子線エピタキシー

Outline of Final Research Achievements

A highly mismatched ZnTeO has a narrow O-derived intermediate band located well below the conduction band edge of the ZnTe, and therefore it is a promising absorber material for intermediate band solar cells (IBSCs). This study was performed to improve the carrier generation efficiency via the intermediate band and the extraction efficiency of excited carriers, which are the keys to achieve high efficiency in ZnTeO-based IBSCs. As a result, we proved that a donor doping is effective for promoting the two-step photon absorption. Also, we demonstrated the epitaxial growth of ZnCdTeO alloy layers which is necessary to form a graded band gap structure and clarified basic properties.

Free Research Field

エネルギー工学

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

再生可能エネルギーの切り札といわれる太陽光発電が将来の基幹電源となり得るためには、太陽光発電システム全体の低コスト化が極めて重要であり、中でも超高効率・低コスト太陽電池の実現が重要な課題の一つである。本研究で着目した中間バンド型太陽電池は、中間バンドを介した光吸収過程の利用により従来の効率限界を超える超高効率化を目指した太陽電池である。本研究では材料元来の性質として中間バンドを有するマルチバンドギャップ半導体ZnTeOを用いた中間バンド型太陽電池の実現を目指して基礎研究を推進したものであり、種々の重要な基礎的知見を得ることができた。