2017 Fiscal Year Annual Research Report
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15H05406
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
佐藤 宗英 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (00509961)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | 原子層堆積技術 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
ナノテクノロジープラットフォームの共用の原子層堆積（ALD）装置の利用料が昨年度始めから４倍となったことに端を発し、ALD装置を自作した。その際、プロセス効率を向上できるようにALD反応炉をデザインした。本研究では真空プロセスのALDと溶液プロセスのドット堆積を交互に繰り返すため、その度にALD反応炉の真空を破る必要がある。共用のALD装置はウェハーサイズの基板を数枚処理できる大型装置であるため、真空到達と熱安定に時間を要していた。研究に必要なチップサイズのサンプル基板に合わせた小型のALD反応炉にするとともに、サンプル基板の直下にもヒーターを設置することで真空到達と熱安定に要する時間を5倍以上短縮することに成功した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
4: Progress in research has been delayed.
Reason
想定していたよりもALD装置の自作に時間を要したため。
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| Strategy for Future Research Activity |
ALDでは２種類以上の反応ガスを交互に交換するため、このようなガス交換をより迅速に行えるようなガス配管へと手直しをするとともに、ALD膜に埋め込まれたドットの機能創出の学術基盤の構築に資するよう研究を推し進める。
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