2017 Fiscal Year Annual Research Report
セリウム近藤半導体の異方的なギャップ構造と特異な磁気秩序の相間
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15J01007
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
川端 丈 広島大学, 先端物質科学研究科, 特別研究員(DC1)
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| Project Period (FY) |
2015-04-24 – 2018-03-31
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| Keywords | 強相関電子系 / 希土類化合物 / トンネル分光 / 重い電子系 / 近藤半導体 / 反強磁性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
フェルミ準位EFに混成ギャップをもつ近藤半導体CeOs2Al10は，Ce化合物としては極めて高いTN = 28.5 Kで反強磁性（AFM）転移する。この原因を探るために, 前年度までに4f/5d正孔と5d電子ドープ系の磁性と伝導および微分コンダクタンスdI/dVを測定してきた。その結果, 三種のドープ量増加により磁性や伝導の変化は大きく異なるにもかかわらず, これらは共通して, 混成ギャップV1と反強磁性に伴うギャップVAFがTNの低下と相関して減少すること, EFでの状態密度N(EF)に比例するゼロバイアスでのdI/dVの値（ZBC）は, TNの低下と逆相関して増加することが判った。これは, 高いTNのAFM転移には混成ギャップが必要であること, ギャップ内状態の発達によってギャップが埋まることを示唆した。更に重要な共通点は, V1とVAFが共存する領域でのみZBCがTNより高いT*で減少し始めることである。この結果は, CeOs2Al10ではAFM転移よりも高温からN(EF)が減少することを意味するが, その原因は不明であった。
そこで本年度は, このN(EF)減少の原因を電気伝導の異方性の観点から明確にするために, N(E=EF)のエネルギー変化に敏感である熱電能Sに着目し, 4f正孔ドープ系のSを測定し, 以前測定した5d正孔/電子ドープ系の結果と比較した。無置換系のSは, 混成ギャップが開く80 K以下で減少し, b軸方向のみ36 K（= TS）以下で減少する。このTSは, 三種類のドープで共通して低下するが, その値はZBCが減少し始める温度T*とよく一致した。この結果から, N(EF)の減少する原因は, 混成ギャップの開いた状態で, 転移温度より高温から準粒子伝導がb軸方向で変化するためであることが判った。
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| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(6 results)
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[Presentation] パルスマグネットを用いた近藤半導体CeT2Al10 (T=Ru, Os, Fe)の圧力下磁気抵抗 II,2017
Author(s)
近藤晃弘, 金道浩一, 中川史也, 片岡真一, 谷田博司, 世良正文, 川端丈, 高畠敏郎, 西岡孝,
Organizer
日本物理学会 2017年秋季大会
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[Presentation] Roles of hybridization in the unusual antiferromagnetic order in Kondo semiconductors CeT2Al10 (T = Ru and Os),2017
Author(s)
T. Takabatake, J. Kawabata, K. Hayashi, T. Takeuchi, Y. Yamada, Y. Okada, K. Umeo, T. Ekino, A. Sugimoto, Y. Muro,
Organizer
International Conference on Strongly Correlated Electron Systems (SCES2017)
Int'l Joint Research
