2006 Fiscal Year Annual Research Report
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16360020
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| Research Institution | KYUSHU UNIVERCITY |
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Principal Investigator |
白谷 正治 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 教授 (90206293)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
古閑 一憲 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助手 (90315127)
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| Keywords | 銅配線 / プラズマCVD / 異方性製膜 / イオンアシスト製膜 / スパッタリング / ナノ構造 / LSI / 誘導結合型放電 |
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| Research Abstract |
LSI,量子ドット,量子細線,マイクロマシン等のナノ構造形成の際に,極微細な溝・穴の埋め込みが重要な作製プロセスとなっている.CVDを始め通常の堆積法では,溝内の全ての面で堆積が生じるため,(1)欠陥や不純物が溝内に多くなる,(2)結晶サイズが溝幅の半分以下になる等の問題がある.これに対して,申請者は,従来法の問題点を克服できる,側壁には堆積が生じず穴底から優先的に堆積が進む「プラズマ異方性CVD」が実現できることを発見した.本研究では,主としてLSI内銅配線形成に必要な銅を主な対象として,「プラズマ異方性CVD」を発展させるために調査・検討を行った.今年度は,高品質銅薄膜の高速製膜に必要な製膜表面への高い水素原子照射量を実現する条件を明らかにする目的で,水素の発光強度の放電電力依存性,材料ガス流量比依存性,ガス圧力依存性について調べた.以下に得られた成果を示す.
1.放電電力Pの増加とともに,発光強度は増加する.容量結合型放電から誘導結合型放電へ移行すると発光強度は1桁以上強くなる.誘導結合型放電へ移行後は発光強度は放電電力に比例して増加する.
2.材料ガス流量比R(=H_2/(H_2+Ar))が小さい程容量結合型放電から誘導結合型放電へ移行する放電電力Pが小さくなる.R=50%ではP=400Wで移行するが,R=3.3%ではP=100Wで移行する.
3.従来の製膜条件R=11%,P=150Wと比較してR=3.3%,P=500Wでは2桁以上のH原子照射量の増加が期待できる.
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Research Products
(1 results)
