2006 Fiscal Year Annual Research Report
対称性が破れた強誘電体リラクサー人工格子形成と脳型メモリ創成
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16360154
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
田畑 仁 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (00263319)
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| Keywords | リラクサー / 人工格子 / スピングラス / スピネル / ガーネット |
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| Research Abstract |
基板結晶の方位特性を生かしてエピタクシー膜を作製することにより、種々の構造および双極子特性を制御したSrTiO_3-SrSrO_3系のリラクサー人工超格子の作製に成功した。人工格子手法により、原子配列の秩序性を制御し、秩序度20%で双極子グラス状態を示す新規リラクサー誘電体を開発した。双極子グラスに留まらず、スピネル型自然超格子化合物Zn_<0.5>Co_<0.5>Fe_2O_4等がスピングラス状態の特徴を有することを明らかにし、さらに、紫外光照射による物性変化を検討した。ZnO薄膜を用いて、Coなどの遷移金属を組み込むことで、室温動作の磁性半導体ZnOを作製し、これがスピンエレクトロニクスに重要なキーマテリアルとなりうる事を輸送現象(異常ホール効果)、帯磁率測定、磁気光学計測により確認した。原子レベルで構造制御した、SrMnO_3/BaMO_3(M=Ti,Zr,Hf)超格子薄膜を作成して、現れる種々の性質である,双極子フラストレーション、リラクサー物性等の関連性を系統的に調べた。
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Research Products
(12 results)
