2005 Fiscal Year Annual Research Report
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16360318
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
今井 基晴 独立行政法人物質・材料研究機構, 材料研究所, 主幹研究員 (90354159)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木村 隆 独立行政法人物質・材料研究機構, 分析ステーション, 主幹研究員 (70370319)
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| Keywords | シリサイド / 超伝導 |
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| Research Abstract |
当該年度においては、三元系シリサイドLaAl_xSi_<2-x>及び関連物質における超伝導物質探索を行なった。
三元系シリサイドLaAl_xSi_<2-x>の合成及び物性評価
試料合成は、La:Al:Si=1:x:2-x(0≦x≦1)の混合物をアーク溶融炉で溶解することで行なった。合成した試料の組成は誘導結合プラズマ質量分析器(ICP-MS)、または電子プローブマイクロアナライザー(EPMA)を用いて決定、構造評価は粉末X線回折を用いて行った。その結果、0.14≦x≦0.63においてAIB_2型構造を持つLaAl_xSi_<2-x>が合成されることがわかった。また、0.74≦x≦1.03においてはα-ThSi_2型構造を持つLaAl_xSi_<2-x>が合成された。これらの試料の電気抵抗率を2〜300Kで測定したが、超伝導は観測されなかった。
関連物質の合成及び物性評価
関連物質として特徴的な共有結合性ネットワークを持ち、Siよりも原子番号が1大きいPのスクッテルダイト化合物La_xRh_4P_<12>の合成及び物性評価を行なった。試料合成はLa:Rh:P=1:4:12の混合物をベルト型高圧発生装置を使用して1273〜1473K、5.5〜7.7GPaの温度圧力範囲で合成した。合成した試料の組成はEPMAを用いて決定、構造評価をした。低温における電気抵抗測定、磁化測定より、合成された化合物は合成条件により超伝導転移温度10K以上の超伝導を示すことを明らかにした。
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