2005 Fiscal Year Annual Research Report
Siの空乏層における歪効果と不活性水素のホットキャリアによる解離効果の研究
| Project/Area Number |
16510099
|
|---|
| Research Institution | Naruto University of Education |
|---|
Principal Investigator |
松田 和典 鳴門教育大学, 学校教育学部, 准教授 (10192337)
|
|---|
| Keywords | シリコンデバイス / 歪効果 / ピエゾキャパシタンス効果 / ピエゾ抵抗効果 / 状態密度 |
|---|
| Research Abstract |
MOSキャパシタにおいて結晶歪みを付加することにより室温でSiの空乏層キャパシタンスに大きな量子効果が現れることは本研究代表者(松田)が発見したオリジナル研究であり,「ピエゾキャパシタンス効果」と呼ばれている。
この効果は結晶歪みによって縮退が解けることによってバンド端の状態密度が急激に変化することにともなう真性フェルミ準位の急激に変化に起因しているものである。最近,歪がMOSFETのしきい電圧に影響することをJi-Song Lim等(IEEE ED Letters 25,2004)が実験結果に基づいて議論しているが,この現象は以前より本研究で示したピエゾキャパシタンス効果と同様のバンド端の状態密度の変化が影響することが直接の原因と考えられる。
本年度は理論的研究として結晶歪がフォトダイオードの光電流効率にも影響することを示し,IMFEDにおいて発表した。これは昨年度より継続して行っているものであり,Bir & Pikus理論に基づいたモデルによって理論計算を行った。
また本年度は,このMOSFETのしきい電圧やフォトダイオードの光電流効率の歪効果についての理論的モデルを実証するための実験について準備を行った。このため,簡易型の応力付加装置を考案・作成した。この応力付加装置はチップをカンチレバ形の鋼板に貼り付けてチップの歪をストレインセンサで測りながら,鋼板を曲げるという手法である。ストレインセンサ(協和電業),フォトダイオード,センサアンプ(浜松ホトニクス),コンピュータインターフェース(ナショナルインスツルメンツ)等を購入し,計測システムを構築した。
|
Research Products
(2 results)
