2005 Fiscal Year Annual Research Report
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16560014
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
井上 直久 大阪府立大学, 産学官連携機構, 教授 (60275287)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
桝本 和義 高エネルギ加速器研究機構, 放射線科学センター, 教授 (60124624)
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| Keywords | シリコン単結晶 / 窒素 / 赤外吸収法 / 放射化分析法 / SIMS / 熱処理 / 電子遷移 / 電子遷移 |
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| Research Abstract |
1.状態変化については赤外吸収、SIMS、放射化分析の確立により評価可能とした。As-grown結晶中の窒素単量体の割合を単量体によるシャローサーマルドナーの電子準位測定と本研究で発見した局所振動による赤外吸収とにより見積もった。また析出量をSIMSによる評価と赤外吸収による溶解(二量体・単量体)窒素濃度、放射化分析による全濃度との比較により見積もった。これにより窒素不純物の相図を作成した。熱処理による単量体から二量体への変化は検出できなかった。
2.窒素濃度測定法では低濃度で支配的となる窒素・酸素対を含む構造に対する新しい赤外吸収ピークについて濃度依存性・温度依存性を詳細に測定し測定法確立の見通しを得た。赤外吸収・SIMS・放射化分析について濃度1x10^<14>/cm^3以上に対する測定法を確立し、巡回測定によりその精度を確認し、規格案を作成した。
2.1.低濃度孤立窒素については、対応すると見られる赤外吸収ピークを発見したので、他の方法は不要となった。この窒素酸素対に格子間酸素を伴う構造からの可能性がある新しい複数のピークの濃度依存性・温度依存性を詳細に調べた。また国内の協力者と試料を交換しシャローサーマルドナー濃度の依存性と比較し、窒素酸素対の濃度を測定できる見通しを得た。国内協力者が熱処理によるドナーの変化を詳細に調べたので、赤外吸収との対応付けを進めている。従来の直線ベースラインに代わる格子振動吸収フィッティング法を提案し、同一構造からの異なる吸収が濃度に依らず一定となることを確認し高精度化への効果を確認した。試料温度の影響を明らかにした。ドイツの海外共同研究者の元で試料を測定し高度化法の効果を確認した。英国の海外共同研究者と理論計算の結果について討論した。
2.2.SIMS分析では、国内の協力研究者と協力して濃度の深さ分布プロファイルに現れる析出物によるスパイクを用いることにより析出窒素量を見積もることができることを明らかにした。他の協力者とも相談して、析出物濃度の測定法として規格に含ませることとした。これは析出物の測定法全般への発展性を持っている。
2.3.放射化分析では、湿式分析における条件を確立し、乾式法や他の分析法との整合性を確認した。放射化分析法による半導体結晶中の不純物分析法としては初めての測定法規格を制定できる見通しを得た。
2.4.方法間などの比較では、赤外吸収、SIMS,放射化分析により同一の起源の試料をそれぞれ複数の機関で分析し、方法間の一致、機関間の一致が満足できる程度であることを確認した。これにより濃度1x10^<14>/cm^3以上に対する測定法を確立でき、規格化の基礎を得た。
3.以上の新しい方法を炭素・酸素濃度対の測定法に適用できるか検討した。海外の研究協力者や国内の利用者の試料を測定して可能性を確かめた。
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Research Products
(6 results)
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[Book] Semiconductor Silicon 20062006
Author(s)
N.Inoue, K.Masumoto, M.Shinomiya, K.Kashima, K.Eifuku, M.Koizumi, T.Takahashi, T.Takenawa, A.Karen, K.Shingu, H.Yagi
Publisher
Standardization of Measurement of Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals(5月予定)
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