2005 Fiscal Year Annual Research Report
後シナプスGABA_B受容体の小脳長期抑圧現象への寄与
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16700344
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| Research Institution | The Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
廣野 守俊 独立行政法人理化学研究所, 小幡研究ユニット, 基礎科学特別研究員 (30318836)
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| Keywords | 小脳皮質 / mGluR1 / GABA_B受容体 / アドレナリン受容体 / 抑制性シナプス伝達 / 小脳長期抑圧現象 / 代謝調節型受容体 |
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| Research Abstract |
1.小脳皮質において、mGluR1応答はGABA_B受容体活性化により増強したが、他の神経伝達物質により生じる可能性もある。そこでアドレナリン受容体(AR)の関与を調べたところ、α_1-ARのアゴニストphenylephrine、あるいはα_2-ARのアゴニストclonidineの投与により、一部のプルキンエ細胞においてmGluR1応答が増強することが分かった。そこで、小脳皮質におけるα_1-ARとα_2-ARの発現パターンを免疫組織染色で調べると、どちらのα-ARも小脳矢状断面の外側に多く、小脳の内側(小脳核寄り)では少ない傾向が見られた。従って、mGluR1の増強効果はα-ARをより多く発現しているプルキンエ細胞で観察されるものと考えられる。この相関関係を明確にする更なる実験が必要である。さらにまた、小脳抑制性シナプス伝達がα_1-AR活性化により増強され、一方α_2-AR活性化により抑制されることを見出した。これはα_1-ARとα_2-ARの活性化が、抑制性介在ニューロンの自発性発火頻度に対し、正反対の作用をすることに依存した。この結果をJ Neurophysiol誌に発表した。
2.GABA_B受容体を阻害すると小脳長期抑圧現象(LTD)が抑制されるという報告が、Tabataらによって培養系で既になされた(PNAS、2004)。この理由として彼らは、GABA_B受容体が細胞外Ca^<2+>濃度センサーとして働き、mGluR1活性を増大するためとしている。しかし、既にmMオーダーで存在する細胞外Ca^<2+>濃度がLTD条件刺激によって大きく変化するとは考えにくく、ここでは我々が見つけたGABA_B受容体によるmGluR1応答増大作用が、主にLTD形成に関わるものと推測される。これを証明すべく実験系を考案する必要がある。
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