2008 Fiscal Year Annual Research Report
超並列大規模量子ダイナミクスシミュレータの開発・応用
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17064009
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
森川 良忠 Osaka University, 産業科学研究所, 准教授 (80358184)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
白井 光雲 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (60178647)
濱田 幾太郎 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (80419465)
柳澤 将 大阪大学, 産業科学研究所, 特任研究員 (10403007)
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| Keywords | 計算物理 / ナノコンタクト / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 物性理論 |
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| Research Abstract |
最終年度である本年度は、プログラム開発を進めると共に適用研究に力を入れた。
プログラム開発に関しては、GW近似のプログラムに関して大規模な計算を目指した改良を試みている。大規模シミュレーションに関しては、固液界面について第一原理分子動力学シミュレーションを行い、界面での水の構造、特に界面での吸着水素の影響、電極電位の影響を調べた。また、有機/金属界面については、ベンゼンやペンタセン等、芳香族炭化水素と金属との界面での構造と電子状態、界面電気二重層の起源について研究を行った. ベンゼン/金属界面では、界面電気二重層の基板金属依存性は、分子-基板問距離に大きな要因が有ることがわかった。また、ペンタセン/金属界面では相互作用が強く、単純な電荷移動のみでは界面電気二重層は見積もれないことが明らかとなった。ホウ素における超伝導探索では、有効的な不純物添加の方法をさらに探索し、提案した。高圧を用いた方法がどのような物質まで有効かについて研究する。半導体中の不純物制御では、格子空孔においてこれまで見いだされたソフトモードと弾性ソフト化を結びつける反応経路を明らかにする。そのために、これまで発展させてきた分子動力学シミュレーションの様々な技法を活用する。
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