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2005 Fiscal Year Annual Research Report

実時間2波長励起フォトルミネッセンス法による非発光再結合準位の動的挙動計測

Research Project

Project/Area Number 17360006
Research InstitutionSaitama University

Principal Investigator

鎌田 憲彦  埼玉大学, 工学部, 教授 (50211173)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 本多 善太郎  埼玉大学, 工学部, 助手 (30332563)
荒川 泰彦  東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (30134638)
Keywords非発光再結合準位 / 結晶評価 / フォトルミネッセンス / 量子閉じ込め / 光物性
Research Abstract

[1]2波長励起PL測定系の光源整備
今年度新たに導入したヘッドオン型XeClエキシマーランプには、放電励起に伴う近紫外〜可視領域の自然放出光が混入している。このため石英ガラスを基板とする反射型紫外域帯域フィルター4枚からなる放電迷光除去回路を自作し、エキシマーランプと組み合わせることによって、波長222nmの紫外域単色Above-Gap Excitation(AGE)光源を整備した。これにより今後重要度の高まる波長300nm以下の短波長発光組成までの結晶評価が可能となった。合わせて光学系の整備を行った。
[2]GaN系半導体試料の結晶成長と基礎測定
短波長発光材料として開発が望まれているGaN系組成で量子井戸構造を設計し、MOCVD成長をに開始した。結晶成長時の問題点のリストアップとその改良を進めている。結晶のPL波長、強度を確認し、InAlGaN四元組成での2波長励起PLの予備測定を始めた。合わせて測定系のS/N比の改善を図った。
[3]量子ドット試料のPL及び2波長PL測定
近赤外域光電子増倍管を用いて、InAs/GaAs3層量子ドット試料のPL、2波長励起PL測定を行った。BGE強度を増すにつれPL強度変化(BGE効果)の飽和する傾向が観測され、量子ドットにおいても光学的定量評価の可能性が示された。層間距離が10nmの構造では、歪場により積層方向にもドット位置が揃いサイズも均一化傾向となることが示された。またBGE効果の温度依存性は従来の量子井戸とは異なり、100K付近で極大となる。この現象を3準位モデルで検討した。

  • Research Products

    (6 results)

All 2006 2005

All Journal Article (5 results) Book (1 results)

  • [Journal Article] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • Author(s)
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Zanardi Ocampo, P.O.Vaccaro, Y.Arakawa
    • Journal Title

      Physica B in Press

  • [Journal Article] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • Author(s)
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Zanardi Ocampo, P.O.Vaccaro, Y.Arakawa
    • Journal Title

      Proc.23^<rd> Int.Conf.on Defects in semiconductors (ICDS-23), Awaji ThM2.3C

      Pages: 105

  • [Journal Article] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • Author(s)
      T.Ohashi, H.Hirayama, K.Ishibashi, N.Kamata
    • Journal Title

      Proc.Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston

      Pages: FF3.2

  • [Journal Article] InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討2005

    • Author(s)
      平山秀樹, 大橋智昭, 石橋幸治, 鎌田憲彦
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」ED2005-32、CPM2005-24、SDM2005-32 105

      Pages: 91-96

  • [Journal Article] 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測2005

    • Author(s)
      平山秀樹, 高野隆義, 大橋智昭, 藤川紗千恵, 鎌田憲彦, 近藤行廣
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」 105

      Pages: 67-72

  • [Book] 電子材料ハンドブック(木村忠正他編著)2006

    • Author(s)
      鎌田 憲彦(「半導体材料」主査)
    • Publisher
      朝倉書店(最終校正中)

URL: 

Published: 2007-04-02   Modified: 2016-04-21  

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