2005 Fiscal Year Annual Research Report
状態図的研究に基づく六方晶フェライト系GHz帯対応高周波デバイス材料の創製
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17360326
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| Research Institution | Okayama University |
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Principal Investigator |
高田 潤 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (60093259)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
藤井 達生 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 助教授 (10222259)
和田 修己 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10210973)
中西 真 岡山大学, 大学院自然科学研究科, 助手 (10284085)
草野 佳弘 倉敷芸術科学大学, 芸術学部, 助教授 (40279039)
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| Keywords | 六方晶フェライト / 高周波デバイス / 状態図 / 電磁気特性 / 磁性薄膜 |
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| Research Abstract |
本研究では、まず、固相反応法よりも反応性が高く化学平衡に容易に到達することが期待される錯体重合法を用い大気中1000℃および1200℃におけるCoO-BaO-Fe_2O_3擬三元系平衡状態図の作製を行ない、フェロックスプラナー型フェライトをはじめとする種々の六方晶フェライト相の生成領域を明らかにした。粉末X線回折測定よる生成相の同定の結果、1000℃では六方晶フェライトとしてはM型とY型のみが存在し、Y型は比較的広い単相領域を有していることが明らかとなった。一方、1200℃ではM型、Y型に加えU型、W型、Z型も生成し、Z型以外は固溶域を有していることが明らかとなった。また、X型の生成には大気中においては1250℃以上での焼成が必要であることが明らかとなった。Y型、Z型に関しては大気中焼成後に酸素中または窒素中でのアニール処理を行い、酸素不定比性の検討を行った。アニール後においても生成相は変化せず、格子定数の変化のみが認められたことから、Y型、Z型フェライトには酸素不定比性があることが示唆された。
次に、広帯域ハイブリッド電磁波吸収体の開発を目的として、Zn系のY型六方晶フェライトとSiCからなる複合焼結体を作製し、焼成条件がその電磁波吸収特性に及ぼす影響を検討した。焼成条件を900℃2時間とし、Zn_2Yに対して重量比5%のSiC粉末を添加した場合、得られた焼結体は、Y型フェライトの分解反応が抑制され、かつSiC相が共存する複合構造を保っていた。また、その電磁波吸収特性は、磁気損失成分と誘電損失成分が共存したダブルピーク構造を有しており、広帯域電磁波吸収体となることが明らかになった。
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