2005 Fiscal Year Annual Research Report
加圧下ドハース・ファンアルフェン効果による圧力誘起超伝導体の重い電子状態の研究
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17540325
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
摂待 力生 大阪大学, 理学研究科, 助教授 (00251041)
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| Keywords | ドハース・ファンアルフェン効果 / 圧力 / 重い電子系 / 圧力誘起超伝導 / 強相関電子系 / フェルミ面 / 希土類化合物 |
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| Research Abstract |
【磁場中回転圧力セルの開発】
本年度は、圧力下のドハース・ファンアルフェン効果の観測のために、磁場中回転圧力セルの開発をおこなった。これまでの圧力セルを用いた磁場中の実験では,dHvA効果に限らず,電気抵抗の実験などにおいても,圧力セルは磁場方向に対して固定されていた。したがって,磁場に対する異方性を調べるためには,いったん圧力を常圧に戻して試料を取り出し,改めて圧力を加え直す必要があった。これは非常に時間のかかる作業である。フェルミ面の異方性やサイクロトロン有効質量の異方性,あるいは,実際にどのバンドの,どの方向の波数をもった伝導電子が重くなっているのかなど,より詳細な研究のため,磁場中回転圧力セルの開発をおこなった。現在、約2GPaの加圧が可能となった。
【より高圧のdHvA効果観測用圧力セルの開発をめざして】
また、本年度は、新しい圧力誘起超伝導体の発見を目指して、6GPaの圧力発生が可能なブリッジマンアンビル圧力セルの製作をおこなった。,これまで申請者の用いてきたインデンター型圧力セルの到達圧力は4GPaであったが、これを大きく上回ることができた。この圧力セルを用いて、反強磁性体CeCoGe_3、の圧力誘起超伝導を発見した。
また、CeIn_3,ThIn_3,Ce_2Ni_3Ge_5の加圧下のドハース・ファンアルフェン効果や電気抵抗の実験をおこない、量子臨界点近傍の電子状態の変化について研究をおこなった。
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