金属/SiGe混晶半導体ナノコンタクト界面形成の基礎的検討

2005 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 17560276
• Research Institution: Kitami Institute of Technology
• Principal Investigator: 野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 武山 真弓 北見工業大学, 工学部, 助教授 (80236512)
• Keywords: ナノコンタクト / 均一シリサイド / NiSi / SiGe

Research Abstract

研究を開始してから、この間、Siウェハー上へのSiGe成長基板の形成を検討して来たが、その安定的な成長の目処がついた。一方、ナノ結晶薄膜の成長の検討を行っていたが、スパッタガス組成とスパッタ条件の検討により、微細結晶の製膜条件を明らかにしつつある。予備的検討として、Si基板を用いてNi/Si試料を作成し、低抵抗で、デバイス応用に期待が持たれるNiSi相を極薄の均一相として、単相成長させることができた。また、Y/Si試料を検討しているが、エピタキシャルシリサイド成長が可能であることを見い出している。これらの結果をもとに、SiGe基板が使えるようになったので、次年度は、引き続きSiGe基板上でのNiSiGeの相形成ならびにYSiGe相のエピタキシャル成長の可能性について検討を行う。今年度は、基礎的な検討と準備を行ったので、研究発表として公表するには至っていない