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2017 Fiscal Year Annual Research Report

ラマン分光オペランド測定による極微細熱電発電Siナノワイヤデバイスの熱伝導率評価

Research Project

Project/Area Number 17J08240
Research InstitutionMeiji University

Principal Investigator

横川 凌  明治大学, 明治大学大学院理工学研究科博士後期課程, 特別研究員(DC1)

Project Period (FY) 2017-04-26 – 2020-03-31
KeywordsSiナノワイヤ / ラマン分光法 / ストークス・アンチストークスラマン散乱 / 熱電発電デバイス / 分子動力学法(MD)
Outline of Annual Research Achievements

今年度は極微細熱電発電Siナノワイヤデバイスに対する極微小領域の温度分布評価実現のため、オペランド用ラマン分光器の設計を主に取り組んだ。具体的には温調プローバを用いてSiナノワイヤ内に局所的な温度勾配をつくり、ラマン測定から得られるSiのストークス、アンチストークスラマン散乱の強度比を測定する手法を確立することが目的である。ラマン分光法で得られるストークス、アンチストークスラマン散乱の強度比を算出することで、Siナノワイヤ内の温度を高空間分解能、非破壊かつ高精度に測定することが出来る。
はじめにSiナノワイヤ内に温度勾配をつくるため、オペランドラマン分光器用の温調プローバを設計および開発を行った。またそれに伴い、対物レンズの設置位置やワーキングディスタンス、およびサンプルステージを考慮しつつ開発を試みた。
高精度に温度分布を評価するためには、Siのストークス・アンチストークスラマン散乱スペクトルを正確に測定することが重要となる。そこで、Siのストークス・アンチストークスラマンスペクトルを高精度に取得するため、ストークス・アンチストークスラマン散乱を同時測定できるようにレイリー散乱を考慮しつつ、グレーティングと光学系を設計した。
また分子動力学(MD)法によるSiナノワイヤのフォノン輸送シミュレーションも実施し、Siナノワイヤの寸法によって温度分布、熱伝導率がどのように影響するか評価した。今後はオペランドラマン分光器を用いた測定条件の最適化を行う予定である。また、実際に寸法を変えたSiナノワイヤに対し、オペランドラマン分光法により温度分布を取得し、熱電発電Siナノワイヤプロセスにフィードバックを行う予定である。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

交付申請書記載の「研究目的」の一つである"Siナノワイヤのオペランド計測技術開発と熱伝導率評価"達成のためにオペランド用ラマン分光器の設計に取り組んだ。当初の目的通り、Siナノワイヤ内に温度勾配を作るための温調プローバをラマン分光器用に設計した。また、Siナノワイヤの寸法を考慮しつつラマン分光器の対物レンズの設置位置、ワーキングディスタンス、およびサンプルステージを考慮しつつ開発に取り組んだ。ラマン分光法による局所領域の温度測定にはストークス・アンチストークスラマン散乱の強度比が必要で高精度なラマンスペクトル測定が必須となる。そのため、ラマン分光器のグレーティングも考慮し、ストークス・アンチストークスラマン散乱の同時測定を実現するよう光学系も検討した。今後、オペランドラマン分光器の設計を完了次第、Siナノワイヤ内の温度分布を非破壊・高精度で算出することを考慮すると、順調な進捗状況であると言える。

Strategy for Future Research Activity

今後の方針として、オペランド計測用のラマン分光器の調整を行い、測定条件の最適化とSiナノワイヤの温度分布を評価する。実験的に求めたSiナノワイヤの温度分布からワイヤ幅、ワイヤ長、そして金属コンタクト・不純物濃度等のナノワイヤデザイン最適化を行う予定である。
また、ナノワイヤの形状確認、組成分析は電子顕微鏡(SEM、TEM)を用い、ラマン測定と共にSiナノワイヤ作製にフィードバックを行い、今後の高効率極微細熱電発電Siナノワイヤデバイス開発の指針を与える。

  • Research Products

    (17 results)

All 2018 2017

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results,  Open Access: 1 results) Presentation (13 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results)

  • [Journal Article] Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy2017

    • Author(s)
      R. Yokogawa, S. Hashimoto, S. Asada, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 56 Pages: 06GG10 (1-5)

    • DOI

      10.7567/JJAP.56.06GG10

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial film using SiGe stressortemplate grown on Ge substrate by selective ion implantation2017

    • Author(s)
      K. Takeuchi, R. Yokogawa, S. Ishihara, S. Yamamoto, S. Konoshima, K. Sawano, and A. Ogura
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 56 Pages: 110313 (1-4)

    • DOI

      10.7567/JJAP.56.110313

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder2017

    • Author(s)
      S. Hashimoto, R. Yokogawa, S. Oba, S. Asada, T. Xu, M. Tomita, A. Ogura, T. Matsukawa, M. Masahara, and T. Watanabe
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 122 Pages: 144305 (1-7)

    • DOI

      10.1063/1.4999195

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Probing spatial heterogeneity in silicon thin films by Raman spectroscopy2017

    • Author(s)
      H. Yamazaki, M. Koike, M. Saitoh, M. Tomita, R. Yokogawa, N. Sawamoto, M. Tomita, D. Kosemura, and A. Ogura
    • Journal Title

      Scientific Reports

      Volume: 7 Pages: 16549 (1-8)

    • DOI

      10.1038/s41598-017-16724-4

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Presentation] 熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価2018

    • Author(s)
      横川凌, 橋本修一郎, 高橋恒太, 大場俊輔, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(III)2018

    • Author(s)
      三野伸晃, 横川凌, 鈴木貴博, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Si-IGBT プロセスによるFZ-Si の少数キャリアライフタイムへの影響評価2018

    • Author(s)
      小林弘人, 横川凌, 鈴木貴博, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤和夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本 俊郎
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における異方的格子定数評価2018

    • Author(s)
      広沢一郎, 村上達海, 須田耕平, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 横川凌, 小椋厚志
    • Organizer
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] AlN熱伝導膜の熱伝導向上によるSiナノワイヤ熱電発電デバイスの出力向上2018

    • Author(s)
      ジャンテンゾウ, 大和亮, 橋本修一郎, 大場俊輔, 姫田悠矢, 横川凌, 徐一斌, 松川貴, 渡邉孝信
    • Organizer
      電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第23回研究会)
  • [Presentation] Evaluation of Strain in the Oxide Covered Silicon Nanowires for Thermoelectric Devices by Raman Spectroscopy2018

    • Author(s)
      R. Yokogawa, S. Hashimoto, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura
    • Organizer
      45th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 水浸ラマン分光法によるAr+イオン照射を施した酸化膜被覆型Siナノワイヤの異方性二軸応力評価2017

    • Author(s)
      横川凌, 橋本修一郎, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] バルクSiGeおよび液浸ラマン分光法を用いたSiGeフォノン変形ポテンシャルの導出2017

    • Author(s)
      横川凌, 武内一真, 村上達海, 臼田宏治, 米永一郎, 小椋厚志
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(II)2017

    • Author(s)
      鈴木貴博, 横川凌, 三野伸晃, 高橋和也, 小森克彦, 森本保, 澤本直美, 小椋厚志
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 放射光X線回折を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性歪評価2017

    • Author(s)
      村上達海, 須田耕平, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 日比野祐介, 横川凌, 広沢一郎, 小椋厚志
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] カーボンドープシリコンにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出2017

    • Author(s)
      吉岡和俊, 村上達海, 小孫翔大, 横川凌, 澤本直美, 小椋厚志
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy2017

    • Author(s)
      T. Suzuki, R. Yokogawa, K. Oasa, T. Nishiwaki, T. Hamamoto, and A. Ogura
    • Organizer
      17th Conference on Defect Recognition and Image, Processing in Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Anisotropic Biaxial Strain Evaluation in MOCVD Grown Ge1-xSnx Mesa Patterned Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy2017

    • Author(s)
      T. Murakami, T. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Suda, S. Ishihara, and A. Ogura
    • Organizer
      17th Conference on Defect Recognition and Image, Processing in Semiconductors
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2018-12-17  

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