2017 Fiscal Year Research-status Report
プラズマガス内包ナノバブル添加スラリーによるＳｉＣ基板の高能率研磨加工法の開発
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17K06094
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
畝田 道雄 金沢工業大学, 工学部, 教授 (00298324)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐野 泰久 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (40252598)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| Keywords | SiC基板 / プラズマガス / ナノバブル / CMP / 高能率 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成29年度における本申請研究は「基盤フェーズ」として，研磨パッド表面構造や種類を含む各種研磨条件がスラリー流れ場に及ぼす影響を検討し，SiC基板の研磨特性との相関を解明することを試みた．さらには，スラリー中へのプラズマガス内包ナノバブルの添加手法を具現化するための装置設計を行った．
具体的な実施項目は次のとおりである．
(1)研磨パッド表面構造を含む各種研磨条件がスラリー流れ場に及ぼす影響の解明：難加工基板を対象にして，研磨条件（研磨パッド種類や表面構造・機械的条件・スラリー組成）がスラリー流れ場とその安定性に及ぼす影響を実験的に解明・評価した．
(2)各種研磨条件がSiC基板の研磨特性に及ぼす影響の解明：SiC基板の研磨特性に及ぼす研磨条件，とりわけ機械条件の影響を検証し，Preston則に基本的には従うことを確認した．
(3)スラリーへのプラズマガス内包ナノバブル添加手法の検討：スラリー中へプラズマガスを内包したナノバブルを添加する専用装置の開発に成功した．
(4)上記(3)の装置による基礎実験：試作した専用装置を用いた研磨テストを実施した．現在までの検討の結果，市販且つ比較的安価なスラリーを用いても本提案手法を用いることによってSiC専用スラリーの約7割に迫る研磨速度の達成に成功した．また，SiC基板のさらなる高能率CMPを達成するための主要因子として，研磨中における基板と研磨パッド相互間の摩擦（係数）のコントロールが重要であることを見出した．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
研究実績の概要で記したとおり，おおむね当初の計画通りに研究を進展させることができている．特にプラズマガスを内包したナノバブル添加スラリーの生成装置の試作に成功し基礎実験を行うことによって，SiC基板の高能率CMPを確立するためには何が必須要件であるかを明確に出来たことが大きい．現在は，その効果をさらに発現する手法を鋭意検討している．
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| Strategy for Future Research Activity |
申請調書にも記載したとおり，多様な専門を有するアドバイザーと適宜コンタクトを取りつつ，独創性ある本研究を進展させる．
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| Causes of Carryover |
平成29年度は第1年度として必要予算を適切に管理しながら研究活動を行ったため．次年度使用額が約12,000円であることは適切な範囲内であると判断する．
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Research Products
(3 results)
