2020 Fiscal Year Annual Research Report

Highly efficient chemical mechanical polishing method for SiC substrates using enhanced slurry containing bubbles of plasma gas

Research Project

Project/Area Number	17K06094
Research Institution	Kanazawa Institute of Technology
Principal Investigator	畝田道雄金沢工業大学, 工学部, 教授 (00298324)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	佐野泰久大阪大学, 工学研究科, 准教授 (40252598)
Project Period (FY)	2017-04-01 – 2021-03-31
Keywords	SiC基板 / プラズマガス / ナノバブル / CMP / 高能率 / 表面改質
Outline of Annual Research Achievements	2020年度（令和2年度）における本研究では，「開発フェーズ」を継続して取り組むとともに，研究成果の発表（論文投稿による成果公表）に努めた．具体的な実施項目は以下のとおりである． (1)SiC基板の研磨レートに及ぼす摩擦係数の影響をデータ増によって追求し，とりわけ，摩擦係数の時系列変化におけるばらつき（標準偏差）と研磨レートには強い相関があることを確認した．その結果から，2019年度（令和元年度）に提示した結果に対する信頼性向上に成功した (2)英文論文誌（Precision Engineering）へ成果の投稿を行い，厳正な審査を経て掲載されるという成果を得た．これを通じて，本研究の特徴が広く展開されるとともに，SiC基板の高能率で且つ汎用装置に適用可能な手法として，実用化に向けたフェースに移行したい．

(1 results)