2020 Fiscal Year Annual Research Report
Highly efficient chemical mechanical polishing method for SiC substrates using enhanced slurry containing bubbles of plasma gas
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17K06094
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
畝田 道雄 金沢工業大学, 工学部, 教授 (00298324)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐野 泰久 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (40252598)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2021-03-31
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| Keywords | SiC基板 / プラズマガス / ナノバブル / CMP / 高能率 / 表面改質 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
2020年度（令和2年度）における本研究では，「開発フェーズ」を継続して取り組むとともに，研究成果の発表（論文投稿による成果公表）に努めた．具体的な実施項目は以下のとおりである．
(1)SiC基板の研磨レートに及ぼす摩擦係数の影響をデータ増によって追求し，とりわけ，摩擦係数の時系列変化におけるばらつき（標準偏差）と研磨レートには強い相関があることを確認した．その結果から，2019年度（令和元年度）に提示した結果に対する信頼性向上に成功した
(2)英文論文誌（Precision Engineering）へ成果の投稿を行い，厳正な審査を経て掲載されるという成果を得た．これを通じて，本研究の特徴が広く展開されるとともに，SiC基板の高能率で且つ汎用装置に適用可能な手法として，実用化に向けたフェースに移行したい．
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