2006 Fiscal Year Annual Research Report
シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
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18063013
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
財満 鎭明 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (70158947)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高木 信一 東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 (30372402)
堀 勝 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (80242824)
益 一哉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (20157192)
宮崎 誠一 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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| Keywords | シリコンULSI / MOSFET / スケーリング則 / ポストスケーリング技術 / ナノCMOS / ナノデバイスインテグリティ / 特性ばらつき |
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| Research Abstract |
本特定領域研究は、シリコンULSIにおける基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』として新しい指導原理を導入することを目的として発足した。そこで、次世代ユビキタスネットワーク社会の実現に向けた、高性能・高機能、低環境負荷特性、柔軟性を兼ね備えた次世代シリコンナノエレクトロニクスの実現を目指して、ナノスケール相補型MOSデバイス(Nano-CMOS)の高性能化・高機能化・極限集積化を達成するための基礎科学と基盤技術を構築するための総括的研究を行い、学識経験者と民間企業開発責任者からなる評価グループを設け、学術的、産業的立場からの評価や提言を行う活動として、以下の会議および研究会を開催した。
・総括班会議(3回):各計画研究班班長より研究計画や進行状況についての報告が行われた。
・第一回全体会議(平成18年9月2、3日、名古屋大学):研究領域を構成する研究代表者や研究分担者により各研究課題についての位置づけや研究計画が報告された。
・第一回成果報告会(平成19年3月15、16日、東京工業大学):この報告会では20件の口頭発表および35件のポスター発表が行われ、さらに企業研究者による本特定領域研究への期待に関し2件の特別講演を行った。
・シンポジウム(平成19年3月28日、第54回応用物理学関係連合講演会):本特定領域に関係するシンポジウム「特性ばらつき解明とナノデバイスインテグリティ」を主催し、企業を含めた研究者によって最先端技術について講演を行い、シリコンテクノロジーの将来展望についての議論を行った。
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