2008 Fiscal Year Final Research Report
Control of magnetism of ferromagnetic semiconductors by co-doping and its application to an electric-control magnetic device
Project/Area Number |
18360006
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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Research Institution | University of Tsukuba |
Principal Investigator |
TAKITA Koki University of Tsukuba, 名誉教授 (00011213)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KURODA Shinji 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40221949)
TAKAMASU Tadashi 筑波大学, 物質・材料研究機構量子ドットセンターグループリーダー (60212015)
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Keywords | スピントロニクス |
Research Abstract |
強磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける荷電性の不純物ドーピングによる磁性の変化を調べた。(Zn,Cr)Teにアクセプター性不純物である窒素をドープすると強磁性が抑制されるが、分子線エピタキシー法により成長した窒素ドープ(Zn,Cr)Teにおいて、窒素のドーピング量と強磁性特性との定量的関係より、窒素ドーピングに伴うCrイオンの価数変化と強磁性抑制との関係を解析し、この系の強磁性メカニズムについての考察を行った。さらに、(Zn,Cr)Te層と非磁性半導体である窒素ドープ(Zn,Mg)Te層からなるρ型の変調ドープヘテロ構造を作製し、ヘテロ界面に生成される2次元正孔により(Zn,Cr)Te層の強磁性が抑制されることを明らかにした。
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