2007 Fiscal Year Annual Research Report
半導体光触媒が放出する活性酸素の発生量に対する磁場効果
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18550011
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
中垣 良一 Kanazawa University, 自然科学研究科, 教授 (20159057)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
甲谷 繁 兵庫医療大学, 薬学部, 講師 (00242529)
福吉 修一 金沢大学, 自然科学研究科, 助教 (10456410)
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| Keywords | 光機能材料 / 活性酸素 / 表面反応 / 磁場効果 / ラジカル反応 / 化学発光 / 光触媒 |
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| Research Abstract |
近年老化の原因物質とされる活性酸素が注目を集めている。活性酸素と呼はれる物質にはヒドロキシルラジカル(・OH)やスーパーオキシドアニオンラジカル(O_2^-・)があり,いずれも不対電子を持つラジカルである。一方,磁場はラジカルの電子スピンに影響を与えるため反応の選択性や速度を変化させる場合がある。活性酸素の発生は光触媒(酸化チタン:TiO_2,バナジン酸ビスマス:BiVO_4,酸化タングステン:WO_3)および各光触媒にAgOAg_2Oを担持した銀担持型光触媒に光照射することで行った。発生した活性酸素をルミノールにより捕捉し,その発光強度を観測したところ,AgOを担持した光触媒AgO-BiVO_4で最も発光強度が強かった。この化学発光はスーパーオキーシドティスムターゼ(SOD)を添加することで完全に消失することから活性酸素のみに由来するものであり,AgO-BiVO_4で最も多くのO_2^-・が発生することがかった。この光触媒についてpH依存性を調べたところpH12でO_2^-・発生量が最大となることが分かった。
この光触媒(AgO-BiVO_4)を用いで75ガウスの磁場存在下での活性酸素発生量について検討を行った。しかしながら,この条件については顕著な磁場の影響は見られなかった
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