2008 Fiscal Year Final Research Report
Study on the formation of hydrogenated silicon films and silicon nano-structural materials obtained by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature
| Project/Area Number |
18550014
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Physical chemistry
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| Research Institution | University of Yamanashi |
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Principal Investigator |
SATO Tetsuya University of Yamanashi, クリーンエネルギー研究センター, 准教授 (60252011)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NAKAGAWA Kiyokazu 山梨大学, クリーンエネルギ研究センター, 准教授 (40324181)
YAMNAKA Junji 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
ARIMOTO Keisuke 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (30345699)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | トンネル反応 / 電子線誘起反応 / 極低温 / アモルファスシリコン / 放射線化学 |
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| Research Abstract |
低速電子線誘起反応と低温トンネル反応を利用して水素化アモルファスシリコン薄膜およびナノ構造材料を極低温で合成し、成長過程に関する基礎的知見を得た。モノシランやジシランを原料ガスに用いて40K~100Kの温度領域で製膜し、薄膜の水素含有量や光学定数(屈折率n, 消衰係数k)の温度依存性などを詳細に検討した。また、薄膜の表面分析および電気的特性評価を行った。
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Research Products
(8 results)
