2008 Fiscal Year Final Research Report
Research on the maximum performance of silicon carbide static induction devices
| Project/Area Number |
18560274
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
電力工学・電気機器工学
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| Research Institution | University of Yamanashi |
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Principal Investigator |
YANO Koji University of Yamanashi, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (90252014)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
TANAKA Yasunori 産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 主任研究員 (20357453)
YATSUO Tsutomu (10399503)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | パワーデバイス / シリコンカーバイド / ワイドバンドギャップ / 静電誘導トランジスタ |
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| Research Abstract |
我々は次世代省エネデバイスとして期待されている超低損失の炭化ケイ素静電誘導トランジスタを開発してきた。本研究では同デバイスの限界性能を明らかにする為に、スイッチング時間および負荷短絡耐量を評価した。その結果、ターンオン時間30ns、ターンオフ時間は80nsを実現した。またDC-DC コンバータの実機試験を行い、周波数100kHz, 電源電圧400V, 電流値4.3A, デューティー比50%の条件で行い安定な動作を確認できた。さらに30μs 間の負荷短絡状態で3500A/cm2 の電流値を保証できた。これらの性能は同定格のSi-IGBT よりも大きく、今後のSiC パワーデバイスの研究開発において意義深い結果である。
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