2008 Fiscal Year Final Research Report
High efficiency chemical machining process for wide bandgap semiconductor substrate
| Project/Area Number |
18686014
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Production engineering/Processing studies
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
SANO Yasuhisa Osaka University, 大学院工学研究科, 准教授 (40252598)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | 炭化ケイ素 / PCVM / 大気圧プラズマ / べベル加工 / 薄化 |
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| Research Abstract |
ワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、次世代省エネルギーパワーデバイス用基板として注目されているが、その硬度と熱的・化学的安定性のため、有効な加工方法が模索されている。本研究では、大気圧プラズマを用いた化学的気化加工法(PCVM)をSiCの加工に適用し、加工特性の温度依存性を明らかにするとともに、SiCウエハ外周のべベル加工(面取り加工)への応用および裏面薄化への応用について検討し、その可能性を明らかにした。
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Research Products
(19 results)
