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2018 Fiscal Year Annual Research Report

Development of semiconductors intra-center photonics

Research Project

Project/Area Number 18H05212
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

藤原 康文  大阪大学, 工学研究科, 教授 (10181421)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 舘林 潤  大阪大学, 工学研究科, 准教授 (40558805)
芦田 昌明  大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (60240818)
佐藤 和則  大阪大学, 工学研究科, 准教授 (60379097)
市川 修平  大阪大学, 工学研究科, 助教 (50803673)
Project Period (FY) 2018-04-23 – 2023-03-31
Keywords希土類元素 / 内殻遷移 / フォトン場制御 / 発光ダイオード
Outline of Annual Research Achievements

本研究では、世界最高品質の希土類添加窒化物半導体を中心に据え、ナノ構造を用いたフォトン場制御により、「電流励起発光」という新たな原理に基づく希土類イオン特有の発光機能を一段と進化させ、究極的な機能を引き出し、更なる高輝度化を目指している。
今年度、取り組んだ「光励起下でのフォトン場制御によるEu発光機能の開拓」に関して、得られた成果は以下のとおりである。<課題1> 原子レベルで制御されたEu添加技術の更なる高度化: (1)Eu添加GaN/無添加GaN多重積層構造をバッファー層として用いることにより、表面ピット密度が劇的に減少すること、(2)微傾斜基板上に成長したEu添加GaNにおいて、Just基板上に比べてEu発光が増大し、励起パワーに対する飽和特性が緩和されることを見出した。 <課題2> Eu添加GaNマイクロ光共振器におけるEu発光機能の評価:上部反射鏡として10ペアのZrO2/SiO2 DBR、下部反射鏡用DBRとして42ペアのAl0.82In0.18N/GaNを有するマイクロ光共振器において、13倍程度のEu発光強度増大を観測した。 <課題3> Eu添加GaN 2次元フォトニック結晶ナノ光共振器の設計:finite-difference time-domain (FDTD)法を用いた電磁界分布シミュレーションにより、格子定数の対称性を崩した2次元フォトニック結晶ナノ光共振器構造において100万を超える共振器Q値が得られることを見出した。
新たに導入した高エネルギーYb再生増幅器システムにより、Eu添加GaNの時間分解発光スペクトルにおいて、新たな高速成分を見出した。また、QSGW法による第一原理計算パッケージecaljの希土類系での有効性を確認するため、岩塩型希土類窒化物の電子状態計算を行い、磁気モーメントがフント則に従うことを確認した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

平成30年度~31年度は主に、「光励起下でのフォトン場制御によるEu発光機能の開拓」に取り組む。すなわち、Eu添加GaNにおける希土類原子周辺局所構造と発光機能との関連を基盤として、原子レベルで制御されたEu添加技術の更なる高度化を図る。フォトン操作を可能とするナノ構造を設計し、既に保有する、ナノメートルレベルで制御された半導体薄膜作製技術と半導体微細加工技術を駆使して作製する。得られたEu添加GaNナノ構造に対して光励起下において究極的なEu発光機能の発現を目指すとともに、Euイオンとフォトン場との相互作用など、内包する物理を解明する。前項で述べたように、「Eu添加技術の更なる高度化」、「ナノ構造の設計」、「ダブルDBRマイクロ光共振器の作製とEu発光特性評価」を実施し、Eu添加GaNにおいてフォトン場制御の有効性を世界に先駆けて明らかにしつつある。また、本研究を推進するにあたり、半導体光物性を専門とする海外研究者との国際連携が有機的に進んでおり、既に国際共著論文の発表に至っている。

Strategy for Future Research Activity

前年度の成果を継続的に発展させながら、以下の課題に取り組む。
【課題1】光励起下でのフォトン場制御によるEu発光機能の開拓: <課題1-1> Eu添加GaNマイクロ光共振器におけるEu発光機能の評価:前年度に作製したダブルDBRマイクロ光共振器においてEu発光強度増大に関与する要因を探索する。時間分解発光特性評価を通じて、Purcell効果の発現度合いを評価する。また、共振器の形成がGaN母体からEuイオンへのエネルギー輸送効率に与える効果を評価する。一方、共振器構造として、マイクロディスク型も取り上げ、その作製と発光特性評価に取り組む。 <課題1-2> Eu添加GaN 2次元フォトニック結晶ナノ光共振器の設計: 開口の形状を考慮したFDTDシミュレーションを実施し、更なる構造の最適化を行う。 <課題1-3> Eu添加GaN 2次元フォトニック結晶ナノ光共振器のEu発光機能の評価:シミュレーションにより得られたEu添加GaN 2次元フォトニック結晶光ナノ共振器の作製を行う。また、そのEu発光機能のスタティック測定やダイナミック測定を行い、Euイオン間の強い相関に起因する超放射現象などの究極的なEu発光機能の発現可能性とEu発光強度の更なる高輝度化を検証するとともに、そのメカニズムを解明する。
【課題2】電流励起下でのフォトン場制御によるEu発光機能の開拓: <課題2-1> Eu添加GaN ダブルDBRマイクロ光共振器有するLED の作製とEu発光機能の評価:実用的な応用を念頭に、電流注入下で動作するダブルDBRマイクロ光共振器を有するLEDを試作する。得られたLEDにおいて、Eu発光機能を評価し、フォトン場制御の有効性を電流注入下で明らかにする。
観測される実験データを理論的に検証することを目的に、QSGW法による電子状態計算を希土類添加GaNについて実行する。

  • Research Products

    (45 results)

All 2019 2018 Other

All Int'l Joint Research (3 results) Journal Article (8 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Peer Reviewed: 8 results,  Open Access: 2 results) Presentation (30 results) (of which Int'l Joint Research: 26 results,  Invited: 11 results) Remarks (2 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Int'l Joint Research] Leihigh Unversity/Ohio University/West Chester University(米国)

    • Country Name
      U.S.A.
    • Counterpart Institution
      Leihigh Unversity/Ohio University/West Chester University
  • [Int'l Joint Research] Universty of Amsterdam(オランダ)

    • Country Name
      NETHERLANDS
    • Counterpart Institution
      Universty of Amsterdam
  • [Int'l Joint Research] Hanyang University(韓国)

    • Country Name
      KOREA (REP. OF KOREA)
    • Counterpart Institution
      Hanyang University
  • [Journal Article] Enhanced light extraction efficiency of Eu-related emission from a nano-patterned GaN layer grown by MOCVD2019

    • Author(s)
      A. Lesage, D. Timmerman, T. Inaba, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara
    • Journal Title

      Scientific Reports

      Volume: 9 Pages: 4231/1-6

    • DOI

      10.1038/s41598-019-40971-2

    • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Color-tunablility in GaN LEDs based on atomic emission manipulation under current injection2019

    • Author(s)
      B. Mitchell, R. Wei, J. Takatsu, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • Journal Title

      ACS Photonics

      Volume: 6 Pages: 印刷中

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Enhanced luminescence efficiency of GaN:Eu-based lightemitting diodes by localized surface plasmons utilizing gold nanoparticles2019

    • Author(s)
      J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 58 Pages: 印刷中

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2018

    • Author(s)
      J. Tatebayashi, G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, and Y. Fujiwara
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 503 Pages: 13-19

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.09.006

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Magnetism of Eu-doped GaN modulations by spinodal nanodecomposition2018

    • Author(s)
      A. Masago, H. Shinya, T. Fukushima, K. Sato, and H. Katayama-Yoshida
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 98 Pages: 214426/1-7

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.98.214426

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Hot-carrier-mediated impact excitation of Er3+ ions in SiO2 sensitized by Si nanocrystals2018

    • Author(s)
      A. Lesage, D. Timmerman, D. M. Lebrun, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 113 Pages: 031109/1-4

    • DOI

      10.1063/1.5042013

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Efficient carrier multiplication in CsPbI3 perovskite nanocrystals2018

    • Author(s)
      C. de Weerd, L. Gomez, A. Capretti, D. M. Lebrun, E. Matsubara, J. Lin, M. Ashida, F. C.M. Spoor, L. D.A. Siebbeles, A. J. Houtepen, K. Suenaga, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz
    • Journal Title

      Nature Communications

      Volume: 9 Pages: 4199/1-9

    • DOI

      10.1038/s41467-018-06721-0

    • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Longitudinal optical phonons modified by organic molecular cation motions in organic-inorganic hybrid perovskites2018

    • Author(s)
      M. Nagai, T. Tomioka, M. Ashida, M. Hoyano, R. Akashi, Y. Yamada, T. Aharen, Y. Kanemitsu
    • Journal Title

      Physical Review Letters

      Volume: 121 Pages: 145506/1-6

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.121.145506

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] New development in red light-emitting diodes using Eu-doped GaN for monolithic micro-LED displays2019

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, S. Ichikawa, and J. Tatebayashi
    • Organizer
      International Conference on Display Technology 2019 (ICDT2019), 16.3, Kunshan, China, March 26-29.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 -波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色発光ダイオードの新展開-2019

    • Author(s)
      藤原康文、塩見圭史、稲葉智宏、朱婉新、市川修平、舘林潤
    • Organizer
      日本セラミックス協会ガラス部会フォトニクス分科会、The 29th Meeting on Glasses for Photonics、1、京都大学吉田南キャンパス、京都市左京区、1月28日.
    • Invited
  • [Presentation] 半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 ~波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色LEDの発明、マイクロLEDディスプレイ実現へのマイルストーン~2019

    • Author(s)
      藤原康文
    • Organizer
      第18回グリーンナノフォーラム「Society 5.0を支えるデジタル・半導体フォトニクス技術」、大阪産業創造館、大阪市中央区、3月1日.
    • Invited
  • [Presentation] Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy2019

    • Author(s)
      S. Ichikawa, J. Takatsu, R. Fuji, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2019), 19P3-35, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan, March 17-21.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Femtosecond radiative decay of two excitons coupled via radiation-induced interaction in ZnO thin films2019

    • Author(s)
      M. Ichimiya, T. Matsuda, T. Kinoshita, M. Nakayama,H. Ishihara, and M. Ashida
    • Organizer
      SPIE Photonics West 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 2.Spin wave spectrum of 3d ferromagnet based on QSGW calculations2019

    • Author(s)
      H. Okumura, T. Kotani, and K. Sato
    • Organizer
      3.APS March Meeting 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Enhanced light output power from Eu-doped GaN narrow-band red light-emitting diodes by actively controlling photon fields2018

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, and J. Tatebayashi
    • Organizer
      233 Electrochemical Society (ECS) meetings, H01 “Wide Bandgap Semiconductor Materials and Device”, 1401, Seattle, USA, May 13-17.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Excitation of europium ions in gallium nitride: Mechanism, kinetics, and optimization2018

    • Author(s)
      V. Dierolf, R. Wei, B. Mitchell, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018), Nara Kasugano International Forum, I15, Japan, July 8-13.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Development of semiconductors intra-center photonics2018

    • Author(s)
      Y. Fujiwara
    • Organizer
      Light Conference 2018, Changchun, China, July 15-18.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Towards semiconductors intra-center photonics2018

    • Author(s)
      Y. Fujiwara
    • Organizer
      19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL2018), Meiji University, Tokyo, Japan, September 11-13.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Development of semiconductors intra-center photonics2018

    • Author(s)
      Y. Fujiwara
    • Organizer
      2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, Noboribetsu, Hokkaido, Japan, October 24-26.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Wavelength-stable and narrow-band red LED for monolithic micro-LED display2018

    • Author(s)
      Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, S. Ichikawa, J. Tatebayashi
    • Organizer
      27th International Display Workshops (IDW’18), FMC1-2, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 12-14.
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] フォトン場制御による波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化2018

    • Author(s)
      藤原康文、稲葉智宏、塩見圭史、佐々木豊、市川修平、Delphine LEBRUN、舘林潤
    • Organizer
      電気学会光・量子デバイス研究会「パワー光源および応用システム全般」、OQD-18-047、ルーテル市ヶ谷センター 第一会議室、東京都新宿区、7月26日.
    • Invited
  • [Presentation] 半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓2018

    • Author(s)
      藤原康文
    • Organizer
      研究・イノベーション学会関西支部第3回(136回)、設計工学会関西支部(194回)合同研究会、大阪電気通信大学駅前キャンパス、寝屋川市、11月26日.
    • Invited
  • [Presentation] Observation of anomalous Er emission in a Er,O-codoped GaAs-based two dimensional photonic crystal nanocavity2018

    • Author(s)
      N. Fujioka, M. Ogawa, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2018 (ICNN2018), Pacifco Yokohama, Japan, April 23-27.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Demonstration of red vertical-microcavity LEDs with Eu-doped GaN as an active layer2018

    • Author(s)
      K. Shiomi, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2018 (LEDIA2018), Pacifco Yokohama, Japan, April 23-27.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy2018

    • Author(s)
      J. Takatsu, R. Fuji, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), 7C-1.1, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Growth of thick (~600 nm) Al0.82In0.18N by temperature-modulation epitaxy for realization of GaN-based photonic crystal slab nanocavities2018

    • Author(s)
      T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), P2-24, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2018

    • Author(s)
      G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), P2-54, Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Fabrication and optical properties of GaN:Eu-based microdisks2018

    • Author(s)
      Y. Sasaki, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018), Nara Kasugano International Forum, O44, Japan, July 8-13.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Investigation of energy transfer between europium centers in GaN:Eu using combined excitation emission spectroscopy2018

    • Author(s)
      D. M. Lebrun, H. Kogame, W. Zhu, B. Mitchell, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), MoP-OD-30, Kanazawa, Japan, November 11-16.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Novel in-situ technique for dislocation-reduction during GaN growth using multi-layered GaN:Eu structure2018

    • Author(s)
      S. Ichikawa, W. Zhu, B. Mitchell, T. Morikawa, J. Tatebayashi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), GR8-2, Kanazawa, Japan, November 11-16.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Drastic surface-smoothing on vicinal (0001) GaN film via strong surfactant effect of doped-Eu2018

    • Author(s)
      S. Ichikawa, T. Morikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), GR8-3, Kanazawa, Japan, November 11-16.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Fabrication of two-dimensional GaN:Eu plasmonic crystals toward highly efficient red emitters2018

    • Author(s)
      Y. Matsude, T. Yamada, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), CR4-1, Kanazawa, Japan, November 11-16.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles2018

    • Author(s)
      J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, Y. Matsude, S. Ichikawa and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), OD6-4, Kanazawa, Japan, November 11-16.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Enhanced light emission in photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs2018

    • Author(s)
      M. Ogawa, N. Fujioka, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Symposium for Materials Scientists “Inspiration for Innovation by Interaction” (ISMS III), P28, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan, December 3-4.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy2018

    • Author(s)
      J. Takatsu, R. Fuji, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Symposium for Materials Scientists “Inspiration for Innovation by Interaction” (ISMS III), P29, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan, December 3-4.
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ultrafast optical response due to nonlocal interaction between light and excitons in ZnO thin films2018

    • Author(s)
      M. Ichimiya, T. Matsuda, T. Kinoshita, T. Takahashi, M. Nakayama, H. Ishihara, and M. Ashida
    • Organizer
      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2018
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Femtosecond radiative decay of coupled excitons by radiation-induced interaction in ZnO thin films2018

    • Author(s)
      M. Ichimiya, T. Matsuda, T. Kinoshita, M. Nakayama, H. Ishihara, and M. Ashida
    • Organizer
      Optics & Photonics Japan 2018
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Optical properties of one-dimensional single crystals based on lead -bromide hybrid perovskites2018

    • Author(s)
      M. H. Duong, S. Nobusue, E. Matsubara, H. Tada, and M. Ashida
    • Organizer
      2018 MRS Fall Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Remarks] 大阪大学藤原研究室

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

  • [Remarks] 研究成果/特別推進研究

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/?%B8%A6%B5%E6%C0%AE%B2%CC%2F%C6%C3%CA%CC%B8%A6%B5%E6%BF%E4%BF%CA

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 窒化物半導体デバイスとその基板、および希土類元素添加窒化物層の形成方法2018

    • Inventor(s)
      市川修平、藤原康文、舘林潤
    • Industrial Property Rights Holder
      大阪大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2018-164868
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 表示装置およびその製造方法2018

    • Inventor(s)
      藤原康文、上野山雄、舘林潤、市川修平
    • Industrial Property Rights Holder
      大阪大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2018-234965

URL: 

Published: 2019-12-27  

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