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2009 Fiscal Year Final Research Report

Development of large-area X-ray imaging detectors with energy discrimination capability for medical use.

Research Project

  • PDF
Project/Area Number 19200044
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Research Field Medical systems
Research InstitutionNagoya Institute of Technology

Principal Investigator

YASUDA Kazuhito  Nagoya Institute of Technology, 大学院・工学研究科, 教授 (60182333)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) NIRAULA Madan  名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20345945)
Project Period (FY) 2007 – 2009
Keywords放射線検出器 / カドミウムテルル / ヘテロ接合ダイオード / 有機金属気相成長法 / エネルギー弁別機能 / 放射線画画像検出器
Research Abstract

Large scale X-ray imaging detector arrays with energy discrimination capabilities have been studied using single crystal thick CdTe layers grown on Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy. Structure of the detector was high-resistive thick p-CdTe/n-buffer CdTe/n^+-Si substrates. Growth and iodine doping conditions for p-CdTe and n-CdTe layers were established. Pretreatment of Si substrates for high quality CdTe growth was also established.

  • Research Products

    (29 results)

All 2010 2009 2008 2007 2004 2003 Other

All Journal Article (11 results) (of which Peer Reviewed: 7 results) Presentation (14 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results)

  • [Journal Article] Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • Author(s)
      K. Yasuda, M. Niraula, 他7名, 1番目
    • Journal Title

      J. Electron. Mater. 39(in-press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxally Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名, 2番目
    • Journal Title

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1164

      Pages: 35-44

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2009

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名, 2番目
    • Journal Title

      IEEE Trans. Nuclear Science 56(3)

      Pages: 836-540

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2009

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名, 2番目
    • Journal Title

      IEEE Trans. Nuclear Science 56(4)

      Pages: 1731-1735

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detectors2008

    • Author(s)
      M. Yokota, K. Yasuda, 他8名, 2番目
    • Journal Title

      J. Electron. Mater. 37(9)

      Pages: 1391-1395

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)2008

    • Author(s)
      渡邊彰伸, 甲斐康寛, 安田和人, 他7名, 10番目
    • Journal Title

      信学技報 ED2008-17

      Pages: 81-84

  • [Journal Article] MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)2008

    • Author(s)
      市橋果, 山田航, 安田和人, 他7名, 10番目
    • Journal Title

      信学技報 ED2008-17

      Pages: 85-88

  • [Journal Article] Characterization of CdTe/n+-Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Imaging Detectors2007

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他9名, 2番目
    • Journal Title

      IEEE Trans. Nuclear Science 54(4)

      Pages: 817-820

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Excimer Laser Etching Process of CdTe Crystals for Formation of Deep Vertical Trenches2007

    • Author(s)
      K. Yasuda, M. Niraula, 他7名, 1番目
    • Journal Title

      J. Electron. Mater. 36(8)

      Pages: 837-840

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・線画像検出器に関する研究(I)2007

    • Author(s)
      大村翔洋, 中村公二, 安田和人, 他3名, 6番目
    • Journal Title

      信学技報 ED2007-10

      Pages: 7-10

  • [Journal Article] MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・線画像検出器に関する研究(II)2007

    • Author(s)
      箕浦晋平, 大橋寛之, 安田和人, 他4名, 7番目
    • Journal Title

      信学技報 ED2007-11

      Pages: 11-15

  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(VIII)2010

    • Author(s)
      小川博久, 安田和人, 他12名
    • Organizer
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東海大学
    • Year and Date
      2010-03-19
  • [Presentation] Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • Author(s)
      K. Yasuda, M. Niraula, 他6名
    • Organizer
      2009 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • Place of Presentation
      Chicago
    • Year and Date
      20091006-20091008
  • [Presentation] Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxally Grown Single Crystal Thick CdTe Films2009

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名
    • Organizer
      2009 MRS Spring Meeting
    • Place of Presentation
      San Francisco(Invited)
    • Year and Date
      20090413-20090417
  • [Presentation] CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性2009

    • Author(s)
      安田和人, ニラウラマダン, 他7名
    • Organizer
      第70回応物物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山大学
    • Year and Date
      2009-09-09
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究(VII)2009

    • Author(s)
      松本和也, 安田和人, 他11名
    • Organizer
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(V)2009

    • Author(s)
      仲島甫, 安田和人, 他7名
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(VI)2009

    • Author(s)
      岡寛樹, 安田和人, 他6名
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE2008

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名
    • Organizer
      IEEE 2008 16th Intern. Workshop on Room-Temperature Semiconductor X- and gamma-Ray Detectors (RTSD)
    • Place of Presentation
      Dresden(Invited)
    • Year and Date
      20081019-20081025
  • [Presentation] MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication2008

    • Author(s)
      M. Niraula, K. Yasuda, 他11名
    • Organizer
      2008 Symposium on Radfiation Measurement and Applications (SORMA WEST 2008)
    • Place of Presentation
      Barkeley
    • Year and Date
      20080602-20080605
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(V)2008

    • Author(s)
      山田航, 安田和人, 他12名
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      日本大学理工学部
    • Year and Date
      2008-03-29
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(VI)2008

    • Author(s)
      甲斐康寛, 安田和人, 他12名
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      日本大学理工学部
    • Year and Date
      2008-03-29
  • [Presentation] Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detectors2007

    • Author(s)
      M. Yokota, K. Yasuda, 他9名
    • Organizer
      2007 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials
    • Place of Presentation
      Baltimore
    • Year and Date
      20071030-20071101
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究(IV)2007

    • Author(s)
      市橋果, 安田和人, 他12名
    • Organizer
      第68回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道工業大学
    • Year and Date
      2007-09-06
  • [Presentation] MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究(III)2007

    • Author(s)
      渡邊彰伸, 安田和人, 他12名
    • Organizer
      第68回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道工業大学
    • Year and Date
      2007-09-06
  • [Remarks]

    • URL

      http://www-yasuda.elcom.nitech.ac.jp/

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体放射線検出器及びその製造方法(Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same)2004

    • Inventor(s)
      安田和人, ニラウラマダン
    • Industrial Property Rights Holder
      中部TLO
    • Industrial Property Number
      米国特許・7,355,185
    • Filing Date
      2004-11-24
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体放射線検出器2003

    • Inventor(s)
      安田和人, ニラウラマダン
    • Industrial Property Rights Holder
      中部TLO
    • Industrial Property Number
      特許・日本国特許番号第4131498号
    • Filing Date
      2003-11-27
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体放射線検出器の製造方法2003

    • Inventor(s)
      安田和人, ニラウラマダン
    • Industrial Property Rights Holder
      中部TLO
    • Industrial Property Number
      特許・日本国特許番号第4107616号
    • Filing Date
      2003-11-27

URL: 

Published: 2011-06-18   Modified: 2016-04-21  

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