Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors

2008 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 19760035
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Applied optics/Quantum optical engineering
• Research Institution: The University of Tokushima
• Principal Investigator: TOMITA Takuro The University of Tokushima, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 助教 (90359547)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Keywords: フェムト秒レーザー / ワイドバンドギャップ半導体 / シリコンカーバイド / 改質技術 / 電気伝導度 / 接触抵抗 / 電極 / レーザー照射

Research Abstract

フェムト秒レーザー照射によるワイドバンドギャップ半導体材料の物性改質を行うことを目標として研究を行ってきた。シリコンカーバイドの半絶縁性基板にイオン注入を行い、その上に電極作製を行い、良好な電極を得ることが出来た。この電極を作製した半絶縁性基板に顕微光学系を用いてフェムト秒レーザー照射を行い、電気伝導率の変化を評価したところ、電気伝導率の有意な向上を見出した。さらに、赤外反射分光法を用いたフェムト秒レーザー改質部の評価から、シリコンカーバイドの赤外反射特性の制御が可能であることを明らかにした。

Research Products

• [Journal Article] Femtosecond Laser-Induced Surface Patterning on 4H-SiC (2009)
  • Author(s): T. Tomita, R. Kumai, K. Kinoshita, S. Matsuo, S. Hashimoto, H. Nagase, M. Nakajima, and T. Suemoto
  • Journal Title: Materials Science Forum Vol.600-603 Pages: 879-882
• [Journal Article] Three-Dimensional Residue-Free Volume Removal inside Sapphire by High-Temperature Etching after Irradiation of Femtosecond Laser Pulses (2008)
  • Author(s): S. Matsuo, K. Tokumi, T. Tomita, and S. Hashimoto
  • Journal Title: Laser Chemistry Vol.2008, No.5 Pages: 892721(1-4)
• [Journal Article] Laser microfabrication and rotation of ship-in-a-bottle optical rotators (2008)
  • Author(s): S. Matsuo, S. Kiyama, Y. Shichijo, T. Tomita, S. Hashimoto, Y. Hosokawa, and H. Masuhara
  • Journal Title: Applied Physics Letters Vol.93, No.5 Pages: 051107(1-3)
• [Journal Article] Cross-sectional TEM analysis of laser-induced ripple structures on the 4H-SiC single-crystal surface (2008)
  • Author(s): T. Okada, H. Kawahara, Y. Ishida, R. Kumai, T. Tomita, S. Matsuo, S. Hashimoto, M. Kawamoto, Y. Makita, and M. Yamaguchi
  • Journal Title: Applied Physics A Vol.92, No.3 Pages: 665-668
• [Presentation] 顕微ラマン分光およびTEM/EELSによるレーザー誘起表面ナノ構造の解析 (2009)
  • Author(s): 富田卓朗,岡田達也,河原啓之,熊井亮太,松尾繁樹,橋本修一,山口誠,上野滋,川本昌子,新藤恵美,吉田明
  • Organizer: 日本物理学会第64回年次大会
  • Year and Date: 20090300
• [Presentation] 100kHzフェムト秒レーザーを用いた半導体へのナノ周期構造の作製 (2009)
  • Author(s): 熊井亮太,富田卓朗,森田健,松尾繁樹,橋本修一,井須俊郎
  • Organizer: レーザー学会学術講演会第29回年次大会講演予稿集
  • Year and Date: 20090100
• [Presentation] フェムト秒レーザー照射による4H-SiC改質部のTEM観察とラマン分光 (2008)
  • Author(s): 富田卓朗,岡田達也,河原啓之,熊井亮太,松尾繁樹,橋本修一,山口誠,上野滋,川本昌子,新藤恵美,吉田明
  • Organizer: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集
  • Year and Date: 20081200
• [Presentation] フェムト秒レーザー改質された4H-SiCの赤外分光 (2008)
  • Author(s): 岩見勝弘,富田卓朗,松尾繁樹,橋本修一,齋藤伸吾,阪井清美
  • Organizer: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集
  • Year and Date: 20081200
• [Presentation] 4H-SiCにおけるインデンテーション圧痕部の顕微ラマン分光 (2008)
  • Author(s): 藤塚将行,山口誠,上野滋,三浦一郎,江利川亘,富田卓朗
  • Organizer: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集
  • Year and Date: 20081200
• [Presentation] シリコンカーバイドにおけるフェムト秒レーザー改質部の赤外分光 (2008)
  • Author(s): 岩見勝弘,富田卓朗,松尾繁樹,橋本修一,齋藤伸吾,阪井清美
  • Organizer: 励起ナノプロセス研究会
  • Year and Date: 20081100
• [Presentation] SiCへのフェムト秒レーザー照射によって誘起されたアモルファス相の分析 (2008)
  • Author(s): 富田卓朗,岡田達也,河原啓之,熊井亮太,松尾繁樹,橋本修一,山口誠,上野滋,川本昌子,新藤恵美,吉田明
  • Organizer: 励起ナノプロセス研究会
  • Year and Date: 20081100
• [Presentation] フェムト秒レーザー照射により改質されたSiCの電気伝導特性 (2008)
  • Author(s): 岩見勝弘,富田卓朗,松尾繁樹,橋本修一,北田貴弘,中河義典,井須俊郎,齋藤伸吾
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集
  • Year and Date: 20080900
• [Remarks] ホームページ等