2008 Fiscal Year Final Research Report
Formation of three-dimensional quantum nanostructure networks based on compound semiconductor porous structuresq
| Project/Area Number |
19760208
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
SATO Taketomo Hokkaido University, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 電子・電気材料 / ナノ材料 / 自己組織化 / 表面・界面物性 / 量子閉じ込め |
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| Research Abstract |
電解液と半導体界面の電気化学反応により形成される多孔質(ポーラス)構造を利用し、少ない電子を局所的に閉じ込めて制御する「3次元量子ナノネットワーク」の基礎技術を確立した。本構造は、直径数100nm 深さ数μm の直線的な孔が配列した高密度ナノ構造が基盤となっており、非常に大きな表面積と優れた伝導特性および光学的特性を有し、高感度化学センサや高効率太陽光発電素子の基本構造として有望性を示す一連の研究成果を得た。
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