2008 Fiscal Year Final Research Report
Highly accurate thermodynamic calculation of spintronics device materials
| Project/Area Number |
19760209
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
OHNO Munekazu Hokkaido University, 大学院工学研究科, 助教授 (30431331)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 電気・電子材料 / スピン注入 |
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| Research Abstract |
スピン注入デバイスの実現化に有力な候補である強磁性Fe/III-V 半導体ハイブリッド構造の相平衡を,第一原理計算及びCALPHAD 法から計算した.Al-As-Fe-Ga-In 系を対象として,各二元系及び三元系のモデリングを行い,特にFe/InAs 構造とFe/GaAs 構造作製時に形成される化合物の解明や,結晶成長の最適温度に関しての知見を得た.
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